詳細信息
基本特性:
（1）、低電源電壓（VDD:+3.0--+5.5V）（2）、顯示分辨率:128×64點 （3）、內(nèi)置漢字字庫，提供8192個16×16點陣漢字(簡繁體可選) （4）、內(nèi)置 128個16×8點陣字符 （5）、2MHZ時鐘頻率 （6）、顯示方式：STN、半透、正顯 （7）、驅動方式：1/32DUTY，1/5BIAS （8）、視角方向：6點 （9）、背光方式：側部高亮白色LED，功耗僅為普通LED的1/5—1/10 （10）、通訊方式：串行、并口可選（11）、內(nèi)置DC-DC轉換電路，無需外加負壓（12）、無需片選信號，簡化軟件設計（13）、工作溫度: 0℃ - +55℃ ,存儲溫度: -20℃ - +60℃
模塊接口說明：
*注釋1：如在實際應用中僅使用串口通訊模式，可將PSB接固定低電平，也可以將模塊上的J8和“GND”用焊錫短接。
*注釋2：模塊內(nèi)部接有上電復位電路，因此在不需要經(jīng)常復位的場合可將該端懸空。
*注釋3：如背光和模塊共用一個電源，可以將模塊上的JA、JK用焊錫短接。
1、RS，R/W的配合選擇決定控制界面的4種模式：
RS | R/W | 功能說明 |
L | L | MPU寫指令到指令暫存器（IR） |
L | H | 讀出忙標志（BF）及地址記數(shù)器（AC）的狀態(tài) |
H | L | MPU寫入數(shù)據(jù)到數(shù)據(jù)暫存器（DR） |
H | H | MPU從數(shù)據(jù)暫存器（DR）中讀出數(shù)據(jù) |
2、E信號
E狀態(tài) | 執(zhí)行動作 | 結果 |
高——>低 | I/O緩沖——>DR | 配合/W進行寫數(shù)據(jù)或指令 |
高 | DR——>I/O緩沖 | 配合R進行讀數(shù)據(jù)或指令 |
低/低——>高 | 無動作 |
●忙標志:BF BF標志提供內(nèi)部工作情況.BF=1表示模塊在進行內(nèi)部操作,此時模塊不接受外部指令和數(shù)據(jù).BF=0時,模塊為準備狀態(tài),隨時可接受外部指令和數(shù)據(jù).利用STATUS RD 指令,可以將BF讀到DB7總線,從而檢驗模塊之工作狀態(tài).
● 字型產(chǎn)生ROM（CGROM） 字型產(chǎn)生ROM（CGROM）提供8192個此觸發(fā)器是用于模塊屏幕顯示開和關的控制。DFF=1為開顯示（DISPLAY ON),DDRAM 的內(nèi)容就顯示在屏幕上，DFF=0為關顯示（DISPLAY OFF)。DFF 的狀態(tài)是指令DISPLAY ON/OFF和RST信號控制的。
● 顯示數(shù)據(jù)RAM（DDRAM）模塊內(nèi)部顯示數(shù)據(jù)RAM提供64×2個位元組的空間，最多可控制4行16字（64個字）的中文字型顯示，當寫入顯示數(shù)據(jù)RAM時，可分別顯示CGROM與CGRAM的字型；此模塊可顯示三種字型，分別是半角英數(shù)字型(16*8)、CGRAM字型及CGROM的中文字型，三種字型的選擇，由在DDRAM中寫入的編碼選擇，在0000H—0006H的編碼中（其代碼分別是0000、0002、0004、0006共4個）將選擇CGRAM的自定義字型，02H—7FH的編碼中將選擇半角英數(shù)字的字型，至于A1以上的編碼將自動的結合下一個位元組，組成兩個位元組的編碼形成中文字型的編碼BIG5（A140—D75F），GB（A1A0-F7FFH）。
● 字型產(chǎn)生RAM(CGRAM) 字型產(chǎn)生RAM提供圖象定義(造字)功能, 可以提供四組16×16點的自定義圖象空間，使用者可以將內(nèi)部字型沒有提供的圖象字型自行定義到CGRAM中，便可和CGROM中的定義一樣地通過DDRAM顯示在屏幕中。
● 地址計數(shù)器AC地址計數(shù)器是用來貯存DDRAM/CGRAM之一的地址,它可由設定指令暫存器來改變，之后只要讀取或是寫入DDRAM/CGRAM的值時，地址計數(shù)器的值就會自動加一，當RS為“0”時而R/W為“1”時，地址計數(shù)器的值會被讀取到DB6——DB0中。
光標/閃爍控制電路
此模塊提供硬體光標及閃爍控制電路，由地址計數(shù)器的值來指定DDRAM中的光標或閃爍位置。
指令說明
模塊控制芯片提供兩套控制命令，基本指令和擴充指令如下：
指令表1：（RE=0：基本指令）
指 | 指 令 碼 | 功 能 | |||||||||
令 | RS | R/W | D7 | D6 | D5 | D4 | D3 | D2 | D1 | D0 | |
清除 顯示 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 1 | 將DDRAM填滿"20H",并且設定DDRAM的地址計數(shù)器(AC)到"00H" |
地址 歸位 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 1 | X | 設定DDRAM的地址計數(shù)器(AC)到"00H",并且將游標移到開頭原點位置;這個指令不改變DDRAM 的內(nèi)容 |
顯示狀態(tài)開/關 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 1 | D | C | B | D=1: 整體顯示 ON C=1: 游標ON B=1:游標位置反白允許 |
進入點 設定 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 1 | I/D | S | 指定在數(shù)據(jù)的讀取與寫入時,設定游標的移動方向及指定顯示的移位 |
游標或顯示移位控制 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 1 | S/C | R/L | X | X | 設定游標的移動與顯示的移位控制位;這個指令不改變DDRAM 的內(nèi)容 |
功能 設定 | 0 | 0 | 0 | 0 | 1 | DL | X | RE | X | X | DL=0/1：4/8位數(shù)據(jù) RE=1: 擴充指令操作 RE=0: 基本指令操作 |
設定CGRAM 地址 | 0 | 0 | 0 | 1 | AC5 | AC4 | AC3 | AC2 | AC1 | AC0 | 設定CGRAM 地址 |
設定DDRAM 地址 | 0 | 0 | 1 | 0 | AC5 | AC4 | AC3 | AC2 | AC1 | AC0 | 設定DDRAM 地址（顯示位址） 第一行：80H－87H 第二行：90H－97H |
讀取忙標志和地址 | 0 | 1 | BF | AC6 | AC5 | AC4 | AC3 | AC2 | AC1 | AC0 | 讀取忙標志(BF)可以確認內(nèi)部動作是否完成,同時可以讀出地址計數(shù)器(AC)的值 |
寫數(shù)據(jù)到RAM | 1 | 0 | 數(shù)據(jù) | 將數(shù)據(jù)D7——D0寫入到內(nèi)部的RAM (DDRAM/CGRAM/IRAM/GRAM) | |||||||
讀出RAM的值 | 1 | 1 | 數(shù)據(jù) | 從內(nèi)部RAM讀取數(shù)據(jù)D7——D0 (DDRAM/CGRAM/IRAM/GRAM) | |||||||
指令表2：（RE=1：擴充指令）
指 | 指 令 碼 | 功 能 | |||||||||
令 | RS | R/W | D7 | D6 | D5 | D4 | D3 | D2 | D1 | D0 | |
待命 模式 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 1 | 進入待命模式,執(zhí)行其他指令都棵終止 待命模式 |
卷動地址開關開啟 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 1 | SR | SR=1：允許輸入垂直卷動地址 SR=0：允許輸入IRAM和CGRAM地址 |
反白 選擇 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 1 | R1 | R0 | 選擇2行中的任一行作反白顯示，并可決定反白與否。初始值R1R0＝00，第一次設定為反白顯示，再次設定變回正常 |
睡眠 模式 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 1 | SL | X | X | SL=0：進入睡眠模式 SL=1：脫離睡眠模式 |
擴充 功能 設定 | 0 | 0 | 0 | 0 | 1 | CL | X | RE | G | 0 | CL=0/1：4/8位數(shù)據(jù) RE=1: 擴充指令操作 RE=0: 基本指令操作 G=1/0：繪圖開關 |
設定繪圖RAM 地址 | 0 | 0 | 1 | 0 AC6 | 0 AC5 | 0 AC4 | AC3 AC3 | AC2 AC2 | AC1 AC1 | AC0 AC0 | 設定繪圖RAM 先設定垂直(列)地址AC6AC5…AC0 再設定水平(行)地址AC3AC2AC1AC0 將以上16位地址連續(xù)寫入即可 |
備注:當IC1在接受指令前,微處理器必須先確認其內(nèi)部處于非忙碌狀態(tài),即讀取BF標志時,BF需為零,方可接受新的指令;如果在送出一個指令前并不檢查BF標志,那么在前一個指令和這個指令中間必須延長一段較長的時間,即是等待前一個指令確實執(zhí)行完成。
應用舉例：
1、使用前的準備:先給模塊加上工作電壓，再按照下圖的連接方法調(diào)節(jié)LCD的對比度，使其顯示出黑色的底影。此過程亦可以初步檢測LCD有無缺段現(xiàn)象。
2、字符顯示:帶中文字庫的128X64-0402B每屏可顯示4行8列共32個16×16點陣的漢字，每個顯示RAM可顯示1個中文字符或2個16×8點陣全高ASCII碼字符，即每屏最多可實現(xiàn)32個中文字符或64個ASCII碼字符的顯示。帶中文字庫的128X64-0402B內(nèi)部提供128×2字節(jié)的字符顯示RAM緩沖區(qū)（DDRAM）。字符顯示是通過將字符顯示編碼寫入該字符顯示RAM實現(xiàn)的。根據(jù)寫入內(nèi)容的不同，可分別在液晶屏上顯示CGROM（中文字庫）、HCGROM（ASCII碼字庫）及CGRAM（自定義字形）的內(nèi)容。三種不同字符/字型的選擇編碼范圍為：0000～0006H（其代碼分別是0000、0002、0004、0006共4個）顯示自定義字型，02H～7FH顯示半寬ASCII碼字符，A1A0H～F7FFH顯示8192種GB2312中文字庫字形。字符顯示RAM在液晶模塊中的地址80H～9FH。字符顯示的RAM的地址與32個字符顯示區(qū)域有著一一對應的關系，其對應關系如下表所示。
80H | 81H | 82H | 83H | 84H | 85H | 86H | 87H |
90H | 91H | 92H | 93H | 94H | 95H | 96H | 97H |
88H | 89H | 8AH | 8BH | 8CH | 8DH | 8EH | 8FH |
98H | 99H | 9AH | 9BH | 9CH | 9DH | 9EH | 9FH |
3 、圖形顯示
先設垂直地址再設水平地址(連續(xù)寫入兩個字節(jié)的資料來完成垂直與水平的坐標地址)
垂直地址范圍 AC5...AC0
水平地址范圍 AC3…AC0
繪圖RAM 的地址計數(shù)器（AC）只會對水平地址(X 軸)自動加一,當水平地址=0FH 時會重新設為00H 但并不會對垂直地址做進位自動加一，故當連續(xù)寫入多筆資料時，程序需自行判斷垂直地址是否需重新設定。GDRAM的坐標地址與資料排列順序如下圖：
4、應用說明
用帶中文字庫的128X64顯示模塊時應注意以下幾點：
①欲在某一個位置顯示中文字符時，應先設定顯示字符位置，即先設定顯示地址，再寫入中文字符編碼。
②顯示ASCII字符過程與顯示中文字符過程相同。不過在顯示連續(xù)字符時，只須設定一次顯示地址，由模塊自動對地址加1指向下一個字符位置，否則，顯示的字符中將會有一個空ASCII字符位置。
③當字符編碼為2字節(jié)時，應先寫入高位字節(jié)，再寫入低位字節(jié)。
④模塊在接收指令前，向處理器必須先確認模塊內(nèi)部處于非忙狀態(tài)，即讀取BF標志時BF需為“0”，方可接受新的指令。如果在送出一個指令前不檢查BF標志，則在前一個指令和這個指令中間必須延遲一段較長的時間，即等待前一個指令確定執(zhí)行完成。指令執(zhí)行的時間請參考指令表中的指令執(zhí)行時間說明。⑤“RE”為基本指令集與擴充指令集的選擇控制位。當變更“RE”后，以后的指令集將維持在最后的狀態(tài)，除非再次變更“RE”位，否則使用相同指令集時，無需每次均重設“RE”位。