應用范圍:放大 | 品牌:國產(chǎn) | 型號:3CG12 | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:20 | 集電極最大允許電流ICM:5 | 極性:PNP型 | 截止頻率fT:1 | 結構:面接觸型 | 封裝材料:B4 | 是否提供加工定制:是 | 擊穿電壓VCEO:24

應用范圍:放大 | 品牌:朗汛 | 型號:LX-SJG | 材料:硅(Si)

應用范圍:放大 | 品牌:日本 | 型號:2SC3838 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:晶圓/裸芯片

應用范圍:放大 | 品牌:進口 | 型號:R25、2SC3838 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:裸芯片

應用范圍:放大 | 品牌:進口 | 型號:2SC3357、R25 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOT-89

應用范圍:放大 | 品牌:長電 | 型號:8550 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-92

應用范圍:放大 | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SC5198，2SA1941 | 材料:硅 | 封裝形式:TO-3P | 電流容量:大功率 | 極性:NPN，PNP | 產(chǎn)品單價:7.00 | 結構:平面型 | 特色標志:現(xiàn)貨 | 類別:直插 | 發(fā)貨期限:1 | 封裝材料:塑料封裝 | 頻率類型:高頻 | 供應商類型:代理商

品牌:ON/安森美 | 型號:MMBD2838LTI | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:HF/高頻(射頻)放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:HEMT高電子遷移率

應用范圍:放大 | 品牌:NXP/恩智浦 | 型號:BFG31 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOT223

應用范圍:放大 | 品牌:NXP/恩智浦 | 型號:BFQ149 | 封裝形式:SOT-89 | 類型:其它 | 封裝:SOT-89

應用范圍:放大 | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SC3862 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大耗散功率PCM:0.15 | 集電極最大允許電流ICM:0.05 | 截止頻率fT:2400