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[摘要] 一種在一基底上制造一電容器的一堆疊底部存儲節(jié)點的方法包括：在基底上形成一第一介電層；在第一介電層上形成一氮化硅層；光刻及蝕刻第一介電層和氮化硅層直至到達(dá)該基底，以形成一接觸窗口；在接觸窗口形成一導(dǎo)電插塞；在氮化硅層和插塞之上形成一第二介電層；光刻及蝕刻第二介電層，藉以在插塞上形成一溝渠；形成一非晶硅層，以填入溝渠；移除第二介電層的殘留部分；以及在非晶硅層上形成一半球型硅晶粒多晶硅層。
034 利用自行對準(zhǔn)金屬硅化物制程形成多晶硅電容器的方法
[摘要] 本發(fā)明提供一種利用自行對準(zhǔn)金屬硅化物制程形成多晶硅電容器的方法，其為一種制造混合模擬元件的電容器的制造方式，此電容器以多晶硅疊層方式形成于具有自行對準(zhǔn)金屬硅化物的制程結(jié)構(gòu)中。在含有自行對準(zhǔn)金屬硅化物制程中，通常須有一道自行對準(zhǔn)金屬硅化物阻障制程用來避免在靜電放電結(jié)構(gòu)、電阻和電容的結(jié)構(gòu)中形成金屬硅化物。本發(fā)明利用此自行對準(zhǔn)金屬硅化物阻障的氧化層來作為形成電容器的介電層，使形成的多晶硅電容器可節(jié)省一些制程步驟。
021 電容器的下電極的制造方法
[摘要] 一種電容器的下電極的制造方法包括：在基底上形成絕緣層；限定絕緣層以形成接觸窗開口，接觸窗開口出基底；在接觸窗開口中及絕緣層上形成摻雜多晶硅層；在摻雜多晶硅層上方形成第一非晶硅層；限定摻雜多晶硅層和第一非晶硅層，以形成混合結(jié)構(gòu)；在混合結(jié)構(gòu)和絕緣層上方形成一第二非晶硅層；蝕刻第二非晶硅層，以在混合結(jié)構(gòu)側(cè)壁形成間隙壁；以及在第一非晶硅層上方及沿著該間隙壁形成半球形硅晶粒層。
020 具有高ε介電材料或鐵電材料的電容器及其制造方法
[摘要] 具有高ε介電系數(shù)或鐵電系數(shù)的電容器介電體（９）的電容器，其含貴金屬的存儲器電極具有多個經(jīng)支撐結(jié)構(gòu)（９ｓ）彼此連接的水平薄片（９L
003 在溝槽電容器結(jié)構(gòu)上具有一單晶晶體管的動態(tài)存貯器器件及其制造方法
[摘要] 在溝槽電容器頂部，疊放一個單晶存取數(shù)晶體管的三維動態(tài)隨機(jī)存取存貯器器件結(jié)構(gòu)及其制造方法，其中，籽晶由環(huán)繞電路單元的單晶半導(dǎo)體區(qū)域和/或溝槽的垂直側(cè)壁所提供，而且其中的存取數(shù)晶體管由絕緣體加以隔離.在本結(jié)構(gòu)中，溝槽位于包含N+重?fù)诫s多晶硅的P+型襯底中.SiO2
060 電容器及其制作方法
009 動態(tài)隨機(jī)存取存儲器單元電容器的制造方法
012 利用多晶硅半球的晶?；匚g刻來形成電容器的方法
058 半導(dǎo)體存儲器的電容器結(jié)構(gòu)及其制備方法
028 制作多晶硅－多晶硅 MOS疊層電容器的方法
005 用于制造半導(dǎo)體器件疊層電容器的方法
035 用場效應(yīng)管和雙極基極多晶硅層制造多晶硅電容器的方法
032 深溝槽電容器結(jié)構(gòu)的制造方法
015 疊層電容器存儲單元及其制造方法
004 有疊層式電容器單元的半導(dǎo)體存儲器件及制法
062 深亞微米級堆疊并聯(lián)金屬 絕緣體 金屬結(jié)構(gòu)電容器
013 具有疊置電容器和埋置字線的動態(tài)隨機(jī)存取存儲器
052 溝槽式電容器及其制造工藝
017 堆疊形動態(tài)隨機(jī)存取存儲器的電容器的制造方法
025 電容器及其制造方法
010 制造隱匿于半導(dǎo)體基底的水平溝槽電容器的方法
042 制造半導(dǎo)體器件的電容器的方法
039 混合模擬組件的電容器制造方法
038 具有雙柵極氧化層的混合模擬組件電容器的制造方法
059 電容器、隨機(jī)存儲器單元的形成方法
043 用于LCD板和OELD板的存儲電容器結(jié)構(gòu)
033 深溝渠電容器以及電阻之同時形成
016 動態(tài)隨機(jī)存取存儲器的電容器的制造方法
053 疊層儲存電容器結(jié)構(gòu)、低溫多晶硅薄膜晶體管液晶顯示器
049 具有電壓調(diào)節(jié)器和電容器的噴墨打印頭加熱器芯片
029 半導(dǎo)體存儲器電路的電容器的制造方法
008 在存儲單元的電容器陣列上制作位線的方法
036 形成電容器之方法及電容器
031 電容器、隨機(jī)存儲器單元及其形成方法
006 電容器制造方法
047 用于形成集成堆棧電容器的方法和結(jié)構(gòu)
045 半導(dǎo)體元件的制造方法及在其內(nèi)制造電容器的方法
054 用于制造集成電路的電容器器件的方法與結(jié)構(gòu)
046 電容器及使用該電容器的發(fā)光顯示器
061 硅基液晶顯示芯片的像素單元存儲電容器
041 半導(dǎo)體器件中電容器的形成方法
055 半導(dǎo)體器件中的電容器及其制造方法
027 用場效應(yīng)管和雙極基極多晶硅層制造多晶硅電容器的方法
024 用于存儲單元的圓柱形存儲電容器及其制造方法
001 利用離子植入方法制作混合電路元件電容器的方法
018 改善溝槽電容器中掩埋帶的控制的方法和裝置
050 電容器電路和顯示器件以及顯示驅(qū)動電路
007 制備半導(dǎo)體器件中的電容器電荷儲存電極的方法
056 DRAM空心柱型電容器及其制造方法
002 高密度動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(RAM)的槽式電容器的制造方法
014 動態(tài)隨機(jī)存取存儲器電容器存儲電極的制造方法
048 一種電容器的制造方法
023 動態(tài)隨機(jī)存取存儲器的電容器制造方法
037 形成半導(dǎo)體器件的電容器的方法
057 用單層多晶硅工藝形成高薄層電阻量電阻器和高電容量電容器
026 互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體工藝中的線性電容器結(jié)構(gòu)
030 溝渠式電容器結(jié)構(gòu)的制備方法
051 堆疊式電容器及其制備方法
044 混合式集成電路的溝道式電容器的制造方法
011 動態(tài)隨機(jī)存取存儲器的電容器的制造方法
040 電容器及其制造方法
019 動態(tài)隨機(jī)存取存儲器電容器的制造方法
以上62項技術(shù)包括在一張光盤內(nèi)
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