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S9014 J6 SOT-23 NPN貼片三極管詳細描述： △主要用途 作為低頻、低噪聲前置放大，應用于電話機、VCD、DVD、電動玩具等電子產(chǎn)品（與S9015互補），參數(shù)符號測試條件最小值典型值最大值單位： 集電極漏電流ICBO：VCB=60V，IE=0 100nA 發(fā)射極漏電流IEBO：VBE=5V，IC=0 100nA 集電極、發(fā)射極擊穿電壓BVCEO：IC=1mA，IB=0 50V 發(fā)射極、基極擊穿電壓BVEBO：IE=10μA，IC=0 5V 集電極、基極擊穿電壓BVCBO：IC=100μA，IE=0 60V 集電極、發(fā)射極飽和壓降VCE(sat)：IC=100mA，IB=10mA 0.25V 基極、發(fā)射極飽和壓降VBE(sat)：IC=100mA，IB=10mA 1.0V 直流電流增益HFE1：VCE=6V，IC=2mA 120 700，HFE2 VCE=6V，IC=150mA 25 △參數(shù)符號標稱值單位 集電極、基極擊穿電壓VCBO：60V 集電極、發(fā)射極擊穿電壓VCEO：50V 發(fā)射極、基極擊穿電壓VEBO：5V 集電極電流IC：150mA 集電極功率PC：625mW 結溫TJ：150 ℃ 貯存溫TSTG：-55℃-150 ℃ △電參數(shù)（Ta=25℃） （按HEF1分類）標準分檔： B：100-300 C：200-600 D：400-1000 1. 發(fā)射極：E 2. 基極：B 3. 集電極：C B. C1 C2 D1 D2 D3 120-200 200-300 300-400 400-500 500-600 600-700 晶體三極管（以下簡稱三極管）按材料分有兩種：鍺管和硅管。而每一種又有NPN和PNP兩種結構形式，但使用最多的是硅NPN和鍺PNP兩種三極管，兩者除了電源極性不同外，其工作原理都是相同的，下面僅介紹NPN硅管的電流放大原理。 對于NPN管，它是由2塊N型半導體中間夾著一塊P型半導體所組成，發(fā)射區(qū)與基區(qū)之間形成的PN結稱為發(fā)射結,而集電區(qū)與基區(qū)形成的PN結稱為集電結,三條引線分別稱為發(fā)射極e、基極b和集電極c。 當b點電位高于e點電位零點幾伏時，發(fā)射結處于正偏狀態(tài)，而C點電位高于b點電位幾伏時，集電結處于反偏狀態(tài)，集電極電源Ec要高于基極電源Ebo。 在制造三極管時，有意識地使發(fā)射區(qū)的多數(shù)載流子濃度大于基區(qū)的，同時基區(qū)做得很薄，而且，要嚴格控制雜質(zhì)含量，這樣，一旦接通電源后，由于發(fā)射結正偏，發(fā)射區(qū)的多數(shù)載流子（電子）極基區(qū)的多數(shù)載流子（空穴）很容易地越過發(fā)射結互相向?qū)Ψ綌U散，但因前者的濃度基大于后者，所以通過發(fā)射結的電流基本上是電子流，這股電子流稱為發(fā)射極電流了。 由于基區(qū)很薄,加上集電結的反偏，注入基區(qū)的電子大部分越過集電結進入集電區(qū)而形成集電集電流Ic，只剩下很少（1-10%）的電子在基區(qū)的空穴進行復合，被復合掉的基區(qū)空穴由基極電源Eb重新補給，從而形成了基極電流Ibo.根據(jù)電流連續(xù)性原理得：Ie=Ib+Ic 這就是說，在基極補充一個很小的Ib，就可以在集電極上得到一個較大的Ic，這就是所謂電流放大作用，Ic與Ib是維持一定的比例關系，即：β1=Ic/Ib 式中：β1--稱為直流放大倍數(shù)， 集電極電流的變化量△Ic與基極電流的變化量△Ib之比為：β= △Ic/△Ib 式中β--稱為交流電流放大倍數(shù)，由于低頻時β1和β的數(shù)值相差不大，所以有時為了方便起見，對兩者不作嚴格區(qū)分，β值約為幾十至一百多。 三極管是一種電流放大器件，但在實際使用中常常利用三極管的電流放大作用，通過電阻轉變?yōu)殡妷悍糯笞饔谩? 三極管放大時管子內(nèi)部的工作原理 1、發(fā)射區(qū)向基區(qū)發(fā)射電子 電源Ub經(jīng)過電阻Rb加在發(fā)射結上，發(fā)射結正偏，發(fā)射區(qū)的多數(shù)載流子(自由電子）不斷地越過發(fā)射結進入基區(qū)，形成發(fā)射極電流Ie。同時基區(qū)多數(shù)載流子也向發(fā)射區(qū)擴散，但由于多數(shù)載流子濃度遠低于發(fā)射區(qū)載流子濃度，可以不考慮這個電流，因此可以認為發(fā)射結主要是電子流。 2、基區(qū)中電子的擴散與復合 電子進入基區(qū)后，先在靠近發(fā)射結的附近密集，漸漸形成電子濃度差，在濃度差的作用下，促使電子流在基區(qū)中向集電結擴散，被集電結電場拉入集電區(qū)形成集電極電流Ic。也有很小一部分電子（因為基區(qū)很?。┡c基區(qū)的空穴復合，擴散的電子流與復合電子流之比例決定了三極管的放大能力。 3、集電區(qū)收集電子 由于集電結外加反向電壓很大，這個反向電壓產(chǎn)生的電場力將阻止集電區(qū)電子向基區(qū)擴散，同時將擴散到集電結附近的電子拉入集電區(qū)從而形成集電極主電流Icn。另外集電區(qū)的少數(shù)載流子（空穴）也會產(chǎn)生漂移運動，流向基區(qū)形成反向飽和電流，用Icbo來表示，其數(shù)值很小，但對溫度卻異常敏感。 | ||