貼片三極管S9014 J6 NPN晶體管 0.1A/45V 長(zhǎng)電三極管

批發(fā)數(shù)量 3-5K 6-8K ≥9K
梯度價(jià)格 27.00 26.00 25.00
型號(hào)
S9014 J6/L6
品牌
長(zhǎng)電
應(yīng)用范圍
放大
材料
硅(Si)
封裝形式
貼片型
適用頻率
低頻管
三極管結(jié)構(gòu)
NPN
封裝
SOT-23
 



 

 

 

 

 








 
 
 
 
S9014 J6  SOT-23  NPN貼片三極管詳細(xì)描述:
 
△主要用途     
      作為低頻、低噪聲前置放大,應(yīng)用于電話機(jī)、VCD、DVD、電動(dòng)玩具等電子產(chǎn)品(與S9015互補(bǔ)),參數(shù)符號(hào)測(cè)試條件最小值典型值最大值單位:
集電極漏電流ICBO:VCB=60V,IE=0  100nA
發(fā)射極漏電流IEBO:VBE=5V,IC=0  100nA
集電極、發(fā)射極擊穿電壓BVCEO:IC=1mA,IB=0  50V
發(fā)射極、基極擊穿電壓BVEBO:IE=10μA,IC=0  5V
集電極、基極擊穿電壓BVCBO:IC=100μA,IE=0  60V
集電極、發(fā)射極飽和壓降VCE(sat):IC=100mA,IB=10mA  0.25V
基極、發(fā)射極飽和壓降VBE(sat):IC=100mA,IB=10mA  1.0V
直流電流增益HFE1:VCE=6V,IC=2mA  120  700,HFE2  VCE=6V,IC=150mA  25
 
△參數(shù)符號(hào)標(biāo)稱(chēng)值單位
集電極、基極擊穿電壓VCBO:60V
集電極、發(fā)射極擊穿電壓VCEO:50V
發(fā)射極、基極擊穿電壓VEBO:5V
集電極電流IC:150mA
集電極功率PC:625mW
結(jié)溫TJ:150 ℃
貯存溫TSTG:-55℃-150 ℃
 
△電參數(shù)(Ta=25℃)
(按HEF1分類(lèi))標(biāo)準(zhǔn)分檔:
B:100-300 
C:200-600  
D:400-1000
1. 發(fā)射極:E
2. 基極:B
3. 集電極:C
B. C1 C2 D1 D2 D3 120-200 200-300 300-400 400-500 500-600 600-700
 
      晶體三極管(以下簡(jiǎn)稱(chēng)三極管)按材料分有兩種:鍺管和硅管。而每一種又有NPN和PNP兩種結(jié)構(gòu)形式,但使用最多的是硅NPN和鍺PNP兩種三極管,兩者除了電源極性不同外,其工作原理都是相同的,下面僅介紹NPN硅管的電流放大原理。      
      對(duì)于NPN管,它是由2塊N型半導(dǎo)體中間夾著一塊P型半導(dǎo)體所組成,發(fā)射區(qū)與基區(qū)之間形成的PN結(jié)稱(chēng)為發(fā)射結(jié),而集電區(qū)與基區(qū)形成的PN結(jié)稱(chēng)為集電結(jié),三條引線分別稱(chēng)為發(fā)射極e、基極b和集電極c。   
      當(dāng)b點(diǎn)電位高于e點(diǎn)電位零點(diǎn)幾伏時(shí),發(fā)射結(jié)處于正偏狀態(tài),而C點(diǎn)電位高于b點(diǎn)電位幾伏時(shí),集電結(jié)處于反偏狀態(tài),集電極電源Ec要高于基極電源Ebo。   
      在制造三極管時(shí),有意識(shí)地使發(fā)射區(qū)的多數(shù)載流子濃度大于基區(qū)的,同時(shí)基區(qū)做得很薄,而且,要嚴(yán)格控制雜質(zhì)含量,這樣,一旦接通電源后,由于發(fā)射結(jié)正偏,發(fā)射區(qū)的多數(shù)載流子(電子)極基區(qū)的多數(shù)載流子(空穴)很容易地越過(guò)發(fā)射結(jié)互相向?qū)Ψ綌U(kuò)散,但因前者的濃度基大于后者,所以通過(guò)發(fā)射結(jié)的電流基本上是電子流,這股電子流稱(chēng)為發(fā)射極電流了。   
      由于基區(qū)很薄,加上集電結(jié)的反偏,注入基區(qū)的電子大部分越過(guò)集電結(jié)進(jìn)入集電區(qū)而形成集電集電流Ic,只剩下很少(1-10%)的電子在基區(qū)的空穴進(jìn)行復(fù)合,被復(fù)合掉的基區(qū)空穴由基極電源Eb重新補(bǔ)給,從而形成了基極電流Ibo.根據(jù)電流連續(xù)性原理得:Ie=Ib+Ic   
      這就是說(shuō),在基極補(bǔ)充一個(gè)很小的Ib,就可以在集電極上得到一個(gè)較大的Ic,這就是所謂電流放大作用,Ic與Ib是維持一定的比例關(guān)系,即:β1=Ic/Ib   
      式中:β1--稱(chēng)為直流放大倍數(shù),   
      集電極電流的變化量△Ic與基極電流的變化量△Ib之比為:β= △Ic/△Ib   
      式中β--稱(chēng)為交流電流放大倍數(shù),由于低頻時(shí)β1和β的數(shù)值相差不大,所以有時(shí)為了方便起見(jiàn),對(duì)兩者不作嚴(yán)格區(qū)分,β值約為幾十至一百多。   
      三極管是一種電流放大器件,但在實(shí)際使用中常常利用三極管的電流放大作用,通過(guò)電阻轉(zhuǎn)變?yōu)殡妷悍糯笞饔谩?  
      三極管放大時(shí)管子內(nèi)部的工作原理
1、發(fā)射區(qū)向基區(qū)發(fā)射電子
      電源Ub經(jīng)過(guò)電阻Rb加在發(fā)射結(jié)上,發(fā)射結(jié)正偏,發(fā)射區(qū)的多數(shù)載流子(自由電子)不斷地越過(guò)發(fā)射結(jié)進(jìn)入基區(qū),形成發(fā)射極電流Ie。同時(shí)基區(qū)多數(shù)載流子也向發(fā)射區(qū)擴(kuò)散,但由于多數(shù)載流子濃度遠(yuǎn)低于發(fā)射區(qū)載流子濃度,可以不考慮這個(gè)電流,因此可以認(rèn)為發(fā)射結(jié)主要是電子流。
2、基區(qū)中電子的擴(kuò)散與復(fù)合
      電子進(jìn)入基區(qū)后,先在靠近發(fā)射結(jié)的附近密集,漸漸形成電子濃度差,在濃度差的作用下,促使電子流在基區(qū)中向集電結(jié)擴(kuò)散,被集電結(jié)電場(chǎng)拉入集電區(qū)形成集電極電流Ic。也有很小一部分電子(因?yàn)榛鶇^(qū)很?。┡c基區(qū)的空穴復(fù)合,擴(kuò)散的電子流與復(fù)合電子流之比例決定了三極管的放大能力。
3、集電區(qū)收集電子
      由于集電結(jié)外加反向電壓很大,這個(gè)反向電壓產(chǎn)生的電場(chǎng)力將阻止集電區(qū)電子向基區(qū)擴(kuò)散,同時(shí)將擴(kuò)散到集電結(jié)附近的電子拉入集電區(qū)從而形成集電極主電流Icn。另外集電區(qū)的少數(shù)載流子(空穴)也會(huì)產(chǎn)生漂移運(yùn)動(dòng),流向基區(qū)形成反向飽和電流,用Icbo來(lái)表示,其數(shù)值很小,但對(duì)溫度卻異常敏感。