片式電容器技術(shù)++PA-Cap聚合物固體片式鋁電解電容

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片式電容器技術(shù)+PA-Cap聚合物固體片式鋁電解電容器在開關(guān)電源中的應(yīng)用實驗


一.本套《片式電容器技術(shù)+PA-Cap聚合物固體片式鋁電解電容器在開關(guān)電源中的應(yīng)用實驗技術(shù)資料》共三張光盤。包含一張pdf圖書或相關(guān)技術(shù)文獻光盤(里面有我們獨家聘請的相關(guān)領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)權(quán)威和技術(shù)專家專業(yè)編寫的5本相關(guān)技術(shù)書籍或技術(shù)資料)及二張配套生產(chǎn)技術(shù)工藝光盤。聯(lián)系電話:15095686581。
二.本套《片式電容器技術(shù)+PA-Cap聚合物固體片式鋁電解電容器在開關(guān)電源中的應(yīng)用實驗》全國范圍內(nèi)可貨到付款,默認發(fā)順豐快遞。
三.本套《片式電容器技術(shù)+PA-Cap聚合物固體片式鋁電解電容器在開關(guān)電源中的應(yīng)用實驗》資料包含的5本pdf圖書或技術(shù)資料目錄及摘要如下:

1.Ni電極片式多層陶瓷電容器產(chǎn)生開裂的幾種因素分析
【簡介】在片式多層陶瓷電容器的生產(chǎn)制作過程中,電容器開裂現(xiàn)象是比較常見的質(zhì)量問題之一。本中對陶瓷介質(zhì)與內(nèi)電極漿料的匹配、膜片密度、Ni重、排膠、燒結(jié)這五個因素是如何導(dǎo)致電容器開裂進行了深入的分析。
2.BaTiO3基熱敏陶瓷材料及其疊層片式元件的濕化學(xué)法制備及理論研究
【簡介】隨著信息技術(shù)的飛速發(fā)展,電子元器件的小型化、集成化及高可靠性已成為當(dāng)今電子技術(shù)發(fā)展的主流,而小型化、片式化、低阻化和高可靠性則成為正溫度系數(shù)熱敏陶瓷元件(PTCR)的發(fā)展趨勢。但由于BaTiO3基熱敏陶瓷材料的固有電阻率較高,傳統(tǒng)的單層PTCR元件不能進一步降低電阻,而疊層片式PTCR可以通過疊層并聯(lián)結(jié)構(gòu)實現(xiàn)低阻化,具有體積小、通流量大、耐電流沖擊特性好等優(yōu)點,是一個具有理論意義和實際應(yīng)用價值的研究方向。論文結(jié)合“十五”國家863計劃項目“疊層片式PTCR熱敏陶瓷材料系列與關(guān)鍵技術(shù)研究”(項目編號:2001AA320504)展開研究。通過系統(tǒng)研究微量施、受主摻雜BaTiO3基PTCR陶瓷材料的組分與工藝,制備出了室溫電阻率為8.0?·cm,升阻比為4.3,溫度系數(shù)為10.3%℃-1,耐電壓高于50V/mm的低電
3.片式多層陶瓷電容器市場廣闊
【簡介】片式多層陶瓷電容器市場廣闊片式多層陶瓷電容器(簡稱片式MLC)是世界上發(fā)展最快、市場用量最多的片式元件。我國在“六五”至“八五”期間,先后從國外引進了18條片式MLC生產(chǎn)線,年設(shè)計生產(chǎn)能力為46.85億只,1995年的實際產(chǎn)量達到28.2億只,為設(shè)計...
4.高頻低ESR片式有機鉭電解電容器層間界面及性能研究
【簡介】本文以改善有機鉭電解電容器各項性能參數(shù)為出發(fā)點,研究有機鉭電解電容器的復(fù)雜界面結(jié)構(gòu),借助各種觀測儀器和測量儀器對電容器的各個界面層的高穩(wěn)定性、高均勻性以及良好的電學(xué)性能進行了研究。主要研究內(nèi)容包括:1.研究了導(dǎo)電聚合物的聚合機理,通過調(diào)整單體EDOT與氧化劑配比,控制溫度等外部因素條件,實現(xiàn)聚合物有效的均勻填充在鉭塊中,得到致密的有機薄膜層。2.研究改良有機鉭電解電容器制備工藝,特別是在氧化介質(zhì)層,有機薄膜層的形成上做了大量實驗研究。分析層與層界面的結(jié)構(gòu)生成狀況,保證界面的穩(wěn)定性,均勻性,并對改善后產(chǎn)品的性能參數(shù)做了分析。3.在有機薄膜制備工藝中,通過前期表面活性處理來實現(xiàn)無機氧化介質(zhì)層與有機膜層的匹配問題,改善其界面的結(jié)合,提升電性能參數(shù)。4.被膜過程中本文對添加相容性中間阻隔層,以及進行在線摻雜技術(shù)的可行性
5.PA-Cap聚合物固體片式鋁電解電容器在開關(guān)電源中的應(yīng)用實驗
【簡介】<正>PA-Cap簡介PA-Cap聚合物固體片式鋁電解電容器,在材料和核心工藝上有重大創(chuàng)新。它在研究聚吡咯薄膜電聚合生長規(guī)律基礎(chǔ)上,開發(fā)了在復(fù)雜多孔的絕緣體表面原位均勻生長高電導(dǎo)率聚吡咯膜技術(shù),解決了聚合電解液長期使用過程中的自聚合難題;提
四.本套技術(shù)資料包含的兩張相關(guān)技術(shù)配套光盤部分目錄如下:

1 納米摻雜制備賤金屬內(nèi)電極多層陶瓷片式電容器介質(zhì)材料
2 化學(xué)包覆制備賤金屬內(nèi)電極多層陶瓷片式電容器介質(zhì)材料
3 多層片式電容器
4 晶片式電容器
5 一種片式電容器浪涌及老化測試裝置
6 片式電容器用介質(zhì)陶瓷材料及其制備方法
7 片式電容器用介質(zhì)陶瓷材料及其制備方法
8 用于片式電容器端電極的導(dǎo)電漿料
9 多層片式電容器及嵌有多層片式電容器的印刷電路板
10 細晶賤金屬內(nèi)電極多層陶瓷片式電容器介質(zhì)材料
11 表面貼裝型寬帶微波單層片式電容器及其制造方法
12 中、高壓金屬化有機薄膜片式電容器
13 印刷裝置和使用該印刷裝置的片式電容器座板機
14 一種焊片式電容器老化用夾具