詳細信息
- 產(chǎn)品詳細介紹 請見中文官網(wǎng) http://www.weistron.com.cn/
- 產(chǎn)品信息
- 名稱：高精密「霍爾效應(yīng)」/「磁電阻(MR)」量測設(shè)備
Programmable Hall Effect / Magnetoresistance (MR)
Measurement System - 品牌：WEISTRON
- 產(chǎn)品特點
自動依序量測在不同磁場下，納米組件或薄膜之霍爾電壓或磁電阻，可同時從16根探針中(可依需求定制化增加探針數(shù))，程控依序選取不同探針組進行自動量測。另提供電極片及彈性探針座選購。適用于半導(dǎo)體相關(guān)檢測產(chǎn)業(yè)。
- 主要用途
在磁場作用下的電性測量是了解半導(dǎo)體與磁性元件之基本特性的一個重要方法。透過測量其基本參數(shù)，例如:電壓、電阻...等，可以了解半導(dǎo)體與磁性元件之電荷傳輸性質(zhì)。例如：在磁場下帶有電流之半導(dǎo)體，透過量測半導(dǎo)體兩側(cè)之電壓，我們可以知道的參數(shù)，如：載子的正負電荷、濃度、遷移率…等。在另一種情況下，通過測量磁性元件在各種磁場下之電阻，就可以知道自旋傳輸特性與自旋電子元件的磁化過程。
產(chǎn)品規(guī)格描述-超高精密電阻量測需求，適用于低功率奈米元件及結(jié)構(gòu)
1.磁場系統(tǒng)
1-1. 電磁鐵 (極面尺寸50mm，氣隙小于20mm時，磁場強度可達0.6T )
1-2. 電源供應(yīng)器 (功率600 Watts, 最大電壓電流60V/20A)
1-3. 內(nèi)建高斯計 (量測范圍 : 10k 高斯到 1 高斯)
2.探針座系統(tǒng)
2-1. 樣品載臺與探針座 （16根探針）
3. 控制系統(tǒng)
3-1. 內(nèi)建電腦 (附微軟作業(yè)系統(tǒng))
3-2. 內(nèi)建軟件介面，容易操作執(zhí)行數(shù)據(jù)量測及分析
★精密低電流源，可量測到0.1pA。
★精密低電壓源，可量測到nano-volt。
★適用于只能乘載微小電流之奈米結(jié)構(gòu)。
★特殊之量測模組可有效去除雜訊，量測精度高。
★電阻之量測范圍從10nΩ至100MΩ。
★電流輸出之分辨率可達100fA，最大電流為±105mA。
★最大可量測電壓為±105V。
3-3. 內(nèi)建高精度數(shù)據(jù)量測系統(tǒng)
3-4. 程控依序選取不同電極之四探針量測
4. 其他
4-1. 液晶顯示器
4-2. 鍵盤及鼠標
技術(shù)規(guī)格
高精密「霍爾效應(yīng)」/「磁電阻(MR)」量測設(shè)備 | |||
型號 | MR1100 | MR2100 | MR3100 |
功能 介紹 | 精密四點電阻量測需求。 | 高精密四點電阻量測及 半導(dǎo)體IV量測需求。 | 超高精密電阻量測需求， 適用于低功率奈米元件及結(jié)構(gòu)。 |
型號 特色 | ★量測精度6位半。 ★量測精度在4位半時， 取樣速度每秒可達3000點。 ★電阻最大可量到100MΩ。 ★電阻分辨率100μΩ。 | ★量測精度5位半。 ★量測精度在4位半時， 取樣速度每秒可達1700點。 ★電阻最大可量到200MΩ。 ★可進行通I量V或通V量I之 IV曲線，可四象限操作。 ★電壓范圍可從±1μV至±210V。 ★電流范圍可從±10pA至 ±1.05A。 | ★精密低電流源， 可量測到0.1pA。 ★精密低電壓源， 可量測到nano-volt。 ★適用于只能乘載微小電流之 奈米結(jié)構(gòu)。 ★特殊之量測模組可有效去除 雜訊，量測精度高。 ★電阻之量測范圍從10nΩ至 100MΩ。 ★電流輸出之分辨率可達 100fA，最大電流±105mA。 ★最大可量測電壓為±105V。 |
共同 規(guī)格 | (1)內(nèi)建高斯計。 (2)探針座(16-pin)。 (3)壓針升降臺。 (4)計算機(含Windows系統(tǒng))及顯示器。 (5)電磁鐵(含電源供應(yīng)器): 非水冷型，磁場可達6000 Guass以上。 (6)程控隨選功能之控制板及軟體，可同時從16根探針中，程控依序選取不同探針組進行 自動量測。 | ||
儀器測試結(jié)果(Model: MR3100)
量測樣品: NiFe nanowire /thickness 40 nm / line width 100 nm