環(huán)保進口CBB日精NIS335J50V/3.3UF50V聚炳烯膜電容7.5MM

批發(fā)數(shù)量 100-300PCS 301-500PCS ≥501PCS
梯度價格 2.50 2.40 2.30
型號
335J50V
品牌
NIS
介質(zhì)材料
有機薄膜
應用范圍
濾波
外形
長方形
功率特性
中功率
頻率特性
中頻
調(diào)節(jié)方式
固定
引線類型
徑向引出線
允許偏差
±5(%)
耐壓值
35(V)
等效串聯(lián)電阻(ESR)
0(mΩ)
損耗
0.0005
額定電壓
50(V)
絕緣電阻
0(mΩ)
溫度系數(shù)
100


特點:
電容采用金屬化聚丙烯膜作介質(zhì)。
高頻損耗小。
內(nèi)部溫升小。
絕緣性能好,自愈效果佳。
阻燃環(huán)氧粉末包封(UL94 V-0)。
主要用途:
廣泛應用于高頻、直流、交流和脈沖電路中。
適用于要求體積小,性能優(yōu)異的彩電S校正電路。
專為大屏幕顯視器及彩電的S校正電路,LED照明驅(qū)動設計。
適用于各種高頻、大電流場合
引用標準
GT/T10191-88 / IEC384-16-1
氣候類別
40/105/21
額定溫度
85℃
工作溫度范圍
-40~+85℃(+85℃to+105℃:decreasing factor 1.25% per℃for VR(dc))
電容量范圍
0.01~4.7µF
標稱電容量偏差
±5%(J); ±10%(K);±20%(M)
額定工作電壓
100VDC/ 250VDC/ 400VDC/ 630VDC/ 800VDC
耐電壓
1.75UR(2S) 1.5 UR(60s)
損耗角正切(tgδ)
Max 0.1% (at 1KHz,25℃)
絕緣電阻
IR≥30000MΩ (CR≤0.33µF) UR≤100V