產(chǎn)品類型:其他 | 品牌:NXP/恩智浦 | 型號(hào):BAW56 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOT-23 | 應(yīng)用范圍:振蕩

產(chǎn)品類型:其他 | 品牌:ON/安森美 | 型號(hào):BAW56LT1G | 材料:硅(Si)

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:NXP/恩智浦 | 型號(hào):BAW56 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:1 | 封裝:SOT-23

產(chǎn)品類型:整流管 | 是否進(jìn)口:否 | 品牌:ON/安森美 | 型號(hào):BAW56 | 材料:鍺(Ge) | 反向浪涌電壓，Vrrm:0 | 封裝:sot-23 | 工作溫度范圍:0（℃） | 功耗:0 | 針腳數(shù):0 | 正向平均電流，IF:0 | 0:0

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:ON/安森美 | 型號(hào):L8050HQLT1G MMBT2369ALT1 RN2403 FHD1664R MMBD914-7 | 材料:鍺(Ge) | 集電極最大耗散功率PCM:貼片/直插三極管 | 集電極最大允許電流ICM:貼片/直插三極管 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:貼片/直插三極管 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:貼片/直插三極管

產(chǎn)品類型:其他 | 是否進(jìn)口:否 | 品牌:三聯(lián)盛 | 型號(hào):BAW56

類型:其他IC | 品牌:DIODES/美臺(tái) | 型號(hào):BAW56DW-7 | 集電極最大耗散功率PCM:詳見(jiàn)規(guī)格書(shū) | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大允許電流ICM:詳見(jiàn)規(guī)格書(shū) | 極性:N/P型 | 截止頻率fT:詳見(jiàn)規(guī)格書(shū) | 結(jié)構(gòu):合金型 | 產(chǎn)品類型:SOT-363 | 材料:其他 | 是否進(jìn)口:是 | 封裝材料:其他 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:詳見(jiàn)規(guī)格書(shū) | 應(yīng)用范圍:振蕩

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:NXP/恩智浦 | 型號(hào):BAW56 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOT-23 | 備注:原裝正品 | 產(chǎn)品類型:小信號(hào) | 針腳數(shù):3

應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:Vishay/威世通 | 型號(hào):BAW56-GS08 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOT23 | 產(chǎn)品性質(zhì):熱銷 | 功率特性:中功率 | 營(yíng)銷方式:現(xiàn)貨 | 集電極最大允許電流ICM:未知 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:未知 | 結(jié)構(gòu):面接觸型 | 封裝材料:塑料封裝 | 頻率特性:中頻

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:長(zhǎng)電 | 型號(hào):BAW56 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOT-23

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:長(zhǎng)電 | 型號(hào):BAW56=A1 | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大耗散功率PCM:長(zhǎng)電原裝正品 | 擊穿電壓VCBO:長(zhǎng)電原裝正品 | 集電極最大允許電流ICM:長(zhǎng)電原裝正品 | 截止頻率fT:長(zhǎng)電原裝正品 | 結(jié)構(gòu):平面型