加工定制:否 | 品牌:BALLUFF | 型號:BALLUFF476967 | 種類:濕度 | 材料:金屬 | 材料物理性質:導體 | 材料晶體結構:單晶 | 制作工藝:厚膜 | 輸出信號:數(shù)字型 | 防護等級:1 | 線性度:11(%F.S.) | 遲滯:1(%F.S.) | 重復性:1(%F.S.) | 靈敏度:1 | 漂移:1 | 分辨率:1
加工定制:否 | 品牌:巴魯夫(BALLUFF) | 型號:BES-516-114-SA1-05 | 種類:射線輻射 | 材料:聚合物 | 材料物理性質:導體 | 材料晶體結構:單晶 | 制作工藝:集成 | 輸出信號:模擬型 | 防護等級:4 | 線性度:21(%F.S.) | 遲滯:1(%F.S.) | 重復性:4(%F.S.) | 靈敏度:3 | 漂移:1 | 分辨率:2
≥1 個
¥1.00
加工定制:否 | 品牌:巴魯夫(BALLUFF) | 型號:BKS-S 48-15-CP-05 | 種類:射線輻射 | 材料:聚合物 | 材料物理性質:導體 | 材料晶體結構:單晶 | 制作工藝:集成 | 輸出信號:模擬型 | 防護等級:4 | 線性度:21(%F.S.) | 遲滯:1(%F.S.) | 重復性:4(%F.S.) | 靈敏度:3 | 漂移:1 | 分辨率:2
≥1 個
¥1.00
加工定制:否 | 品牌:巴魯夫(BALLUFF) | 型號:BIS C-122-04/L | 種類:射線輻射 | 材料:聚合物 | 材料物理性質:導體 | 材料晶體結構:單晶 | 制作工藝:集成 | 輸出信號:模擬型 | 防護等級:4 | 線性度:21(%F.S.) | 遲滯:1(%F.S.) | 重復性:4(%F.S.) | 靈敏度:3 | 漂移:1 | 分辨率:2
≥1 個
¥1.00
加工定制:是 | 品牌:巴魯夫(BALLUFF) | 型號:BNS 819-99-R-11 | 種類:射線輻射 | 材料:聚合物 | 材料物理性質:導體 | 材料晶體結構:單晶 | 制作工藝:集成 | 輸出信號:模擬型 | 防護等級:4 | 線性度:21(%F.S.) | 遲滯:12(%F.S.) | 重復性:4(%F.S.) | 靈敏度:3 | 漂移:1 | 分辨率:2
≥1 個
¥1.00
加工定制:是 | 品牌:巴魯夫(BALLUFF) | 型號:BKS-S 32M-10 | 種類:射線輻射 | 材料:聚合物 | 材料物理性質:導體 | 材料晶體結構:單晶 | 制作工藝:集成 | 輸出信號:模擬型 | 防護等級:4 | 線性度:21(%F.S.) | 遲滯:12(%F.S.) | 重復性:4(%F.S.) | 靈敏度:3 | 漂移:1 | 分辨率:2
≥1 個
¥1.00
加工定制:是 | 品牌:BALLUFF(巴魯夫) | 型號:BLS 12M-XX-1RD-BO-L-03 | 種類:溫度 | 材料:聚合物 | 材料物理性質:導體 | 材料晶體結構:單晶 | 制作工藝:集成 | 輸出信號:模擬型 | 防護等級:12 | 線性度:5(%F.S.) | 遲滯:4(%F.S.) | 重復性:3(%F.S.) | 靈敏度:12 | 漂移:2 | 分辨率:2
≥1 個
¥1.00
品牌:BALLUFF/巴魯夫 | 型號:BES 516-327-G-BO-C-PU | 類型:熱釋電式接近開關 | 反應頻率:800Hz | 額定電壓:24V(V) | 額定電流:200mA(A) | 檢測距離:2-6mm(mm) | 產品認證:ce | 加工定制:是
≥1 個
¥106.00
加工定制:是 | 品牌:BALLUFF | 型號:BFS 26K-GI-L04-S92 | 種類:光學 | 材料:混合物 | 材料物理性質:半導體 | 材料晶體結構:多晶 | 制作工藝:厚膜 | 輸出信號:模擬型 | 防護等級:12 | 線性度:11(%F.S.) | 遲滯:23(%F.S.) | 重復性:15(%F.S.) | 靈敏度:232 | 漂移:67 | 分辨率:1200
≥1 PCS
¥214.00
加工定制:否 | 品牌:BALLUFF | 型號:BMF103K-PS-C-2-SA2-S49 | 種類:氣體 | 材料:金屬 | 材料物理性質:半導體 | 材料晶體結構:多晶 | 制作工藝:厚膜 | 輸出信號:數(shù)字型 | 防護等級:- | 線性度:-(%F.S.) | 遲滯:-(%F.S.) | 重復性:-(%F.S.) | 靈敏度:- | 漂移:- | 分辨率:- | -:-
加工定制:是 | 品牌:巴魯夫(BALLUFF) | 型號:BOS 18M-PS-RD23-S4 | 種類:光電 | 材料:聚合物 | 材料物理性質:導體 | 材料晶體結構:單晶 | 制作工藝:集成 | 輸出信號:膺數(shù)字型 | 防護等級:4 | 線性度:21(%F.S.) | 遲滯:12(%F.S.) | 重復性:4(%F.S.) | 靈敏度:3 | 漂移:1 | 分辨率:2
≥1 個
¥1.00
加工定制:是 | 品牌:BALLUFF/巴魯夫 | 型號:BNS 819-B02-D08-46-11,BNS819-B02-D08-46-11 | 種類:光電 | 材料:其他 | 材料物理性質:其他 | 材料晶體結構:其他 | 制作工藝:集成 | 輸出信號:開關型 | 防護等級:IP67 | 靈敏度:30US
≥10 PCS
¥1.00
加工定制:是 | 品牌:巴魯夫(BALLUFF) | 型號:BNS 819-B02-D08-40-10 | 種類:射線輻射 | 材料:聚合物 | 材料物理性質:導體 | 材料晶體結構:單晶 | 制作工藝:集成 | 輸出信號:模擬型 | 防護等級:4 | 線性度:21(%F.S.) | 遲滯:12(%F.S.) | 重復性:4(%F.S.) | 靈敏度:3 | 漂移:1 | 分辨率:2
≥1 個
¥1.00
加工定制:是 | 品牌:巴魯夫(BALLUFF) | 型號:BNS 819-B03-D08-40-10 | 種類:射線輻射 | 材料:聚合物 | 材料物理性質:導體 | 材料晶體結構:單晶 | 制作工藝:集成 | 輸出信號:模擬型 | 防護等級:4 | 線性度:21(%F.S.) | 遲滯:12(%F.S.) | 重復性:4(%F.S.) | 靈敏度:3 | 漂移:1 | 分辨率:2
≥1 個
¥1.00
加工定制:是 | 品牌:巴魯夫(BALLUFF) | 型號:BOD 63M-LB04-S115 | 種類:射線輻射 | 材料:聚合物 | 材料物理性質:導體 | 材料晶體結構:單晶 | 制作工藝:集成 | 輸出信號:模擬型 | 防護等級:4 | 線性度:21(%F.S.) | 遲滯:12(%F.S.) | 重復性:4(%F.S.) | 靈敏度:3 | 漂移:1 | 分辨率:2
≥1 個
¥1.00
加工定制:是 | 品牌:巴魯夫(BALLUFF) | 型號:BLE 12M-PA-1PD-S4-C | 種類:射線輻射 | 材料:聚合物 | 材料物理性質:導體 | 材料晶體結構:單晶 | 制作工藝:集成 | 輸出信號:模擬型 | 防護等級:4 | 線性度:21(%F.S.) | 遲滯:12(%F.S.) | 重復性:4(%F.S.) | 靈敏度:3 | 漂移:1 | 分辨率:2
≥1 個
¥1.00
加工定制:是 | 品牌:BALLUFF | 型號:BGL 50A-001-S49 | 種類:光學 | 材料:金屬 | 材料物理性質:導體 | 材料晶體結構:單晶 | 制作工藝:集成 | 輸出信號:模擬型 | 防護等級:15 | 線性度:25(%F.S.) | 遲滯:125(%F.S.) | 重復性:231(%F.S.) | 靈敏度:1290 | 漂移:1127 | 分辨率:213
≥1 PCS
¥335.00
加工定制:是 | 品牌:BALLUFF | 型號:BGL 30C-006-S4 | 種類:光學 | 材料:金屬 | 材料物理性質:半導體 | 材料晶體結構:單晶 | 制作工藝:集成 | 輸出信號:數(shù)字型 | 防護等級:34 | 線性度:12(%F.S.) | 遲滯:34(%F.S.) | 重復性:1280(%F.S.) | 靈敏度:2340 | 漂移:230 | 分辨率:1140
≥1 PCS
¥351.00
品牌:BALLUFF/巴魯夫 | 型號:BES 516-3028-G-E5-Y-S4 | 類型:熱釋電式接近開關 | 反應頻率:100Hz | 額定電壓:10-30V(V) | 額定電流:130mA(A) | 檢測距離:15mm(mm) | 產品認證:ce | 加工定制:是
≥1 個
¥86.00
品牌:BALLUFF/巴魯夫 | 型號:BES M18MI-PSC50B-BV02 | 加工定制:否
≥1 個
¥100.00