應用范圍:振蕩 | 品牌:國產(chǎn) | 型號:2SB772 | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:TO-92 | 集電極最大耗散功率PCM:1 | 集電極最大允許電流ICM:3 | 截止頻率fT:0

應用范圍:放大 | 品牌:國產(chǎn) | 型號:D882 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:1 | 集電極最大允許電流ICM:1 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:100 | 結(jié)構(gòu):點接觸型 | 封裝材料:樹脂封裝 | 是否提供加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:100

應用范圍:功率 | 品牌:RJD | 型號:B772 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-92

應用范圍:放大 | 品牌:長電 | 型號:B772 TO-92 | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:1 | 擊穿電壓VCBO:1 | 集電極最大允許電流ICM:1 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:1 | 結(jié)構(gòu):點接觸型 | 封裝材料:塑料封裝 | 是否提供加工定制:否

應用范圍:放大 | 品牌:藍箭 | 型號:2SB772 | 類型:其他IC | 處理器速度:標準穩(wěn)定 | 用途:電腦 | 封裝:TO126F

應用范圍:功率 | 品牌:AME/安茂微 | 型號:HM772-Q | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大耗散功率PCM:0 | 集電極最大允許電流ICM:0 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:0 | 結(jié)構(gòu):點接觸型 | 封裝材料:金屬封裝 | 加工定制:是 | 擊穿電壓VCEO:0

應用范圍:放大 | 品牌:長電 | 型號:2SB772 2SD882 | 類型:其他IC | 批號:12+ | 封裝:TO126

應用范圍:功率 | 品牌:NEC/日本電氣 | 型號:2SB772 | 封裝形式:直插型 | 類型:其他IC | 集電極最大允許電流ICM:3 | 是否提供加工定制:否

應用范圍:放大 | 品牌:長電 | 型號:2SB772 2SD882 | 類型:其他IC | 批號:11+ | 封裝:SOT89

應用范圍:放大 | 品牌:進口 | 型號:2SB772 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:n | 集電極最大允許電流ICM:n | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:n | 結(jié)構(gòu):點接觸型 | N:N | 封裝材料:金屬封裝 | 加工定制:是 | 擊穿電壓VCEO:N

類型:其他IC | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:KSB772 | 溝道類型:N溝道 | 種類:結(jié)型(JFET) | 導電方式:耗盡型 | 供應商類型:自主生產(chǎn)廠商

應用范圍:振蕩 | 品牌:KEC | 型號:KRA772U | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:21 | 集電極最大允許電流ICM:30 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:41 | 結(jié)構(gòu):點接觸型 | 產(chǎn)品類型:US6 | 是否進口:是 | 封裝材料:金屬封裝 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:12

應用范圍:放大 | 品牌:KEC | 型號:KRA772E | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:24 | 集電極最大允許電流ICM:30 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:15 | 結(jié)構(gòu):點接觸型 | 產(chǎn)品類型:TES6 | 是否進口:是 | 封裝材料:金屬封裝 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:23

應用范圍:放大 | 品牌:NEC/日本電氣 | 型號:2SB772 | 類型:通信IC | 批號:11+ | 封裝:TO-126