詳細信息
一、 基礎(chǔ)理論
1、 水晶的分子式：SiO2
2、 水晶的硬度：莫氏硬度7級
3、 水晶的比重： 2.65
4、 一個完整的天然水晶一共有30個面，共分5組，每組 6個。
5、 水晶有幾個二次對稱軸？3個
6、 X軸稱為電軸，Y軸稱為機械軸，Z軸稱為光軸。
7、 公司產(chǎn)品最常用的是那種切型？AT
8、 公司產(chǎn)品屬于哪種基本振動模式？ 厚度剪切
9、 溫度達到 573 度，不能再做晶體元件。
10、 畫出晶體元件的等效電路圖：
二、 名詞解釋：
1、標(biāo)稱頻率F0：客戶給定的頻率或是標(biāo)識頻率
2、負載諧振頻率FL：帶負載電容時測量的頻率
3、負載電容CL：產(chǎn)品生產(chǎn)時所串的頻率（線路晶體兩端串聯(lián)電容與分布電容的和）
4、調(diào)整頻差△FL=FL-F0：用戶要求的頻率誤差范圍或是電路上可以調(diào)整的頻率范圍
5、諧振電阻RR：晶體工作時的等效電阻
6、負載諧振電阻RL：晶體工作時，包括負載電容一起測量的等效電阻
7、靜電容或稱并電容C0：晶體不工作時可以測量出電容值
8、DLD：隨著激勵功率的變化，電阻和頻率的變化量
9、寄生頻率：非主振以外的其它頻率
10、牽引率TS：當(dāng)負載電容變化時，頻率的變化量
三、闡述工藝衛(wèi)生對產(chǎn)品質(zhì)量的影響：
工藝衛(wèi)生不好，對產(chǎn)品的頻率穩(wěn)定性、電阻大小及穩(wěn)定性、DLD都會有很大影響。產(chǎn)品生產(chǎn)時或檢驗時合格，但隨著時間的推移，頻率、電阻、DLD都會發(fā)生變化，導(dǎo)致產(chǎn)品不合格。
生產(chǎn)過程合格率低，特別是電阻增大。DLD不良率增加。
四、闡述切角對成品溫度頻差的影響：
石英晶體元件，當(dāng)溫度發(fā)生變化時，頻率也隨著升高或降低，中心切角選擇不合適，在同樣的溫度范圍內(nèi)，頻差增大。切角的一致性不好，會造成晶體溫度頻差一致性也不好。因此，要根據(jù)不同的溫度頻差要求（包括溫度范圍），選擇不同的中心切角和誤差。不同的頻率，選用的中心切角也不一樣。頻率低角度小，頻率高角度大。
晶體切角的選擇要根據(jù)：頻率、工作溫度范圍、和要求的溫度頻差值來確定。
石英諧振器規(guī)格書 | |
一、技術(shù)規(guī)格 1.盒 型：Φ2×6/3*8 2.振動模式：基頻 3.標(biāo)稱頻率：32.768 4.調(diào)整頻差：±20ppm（at 20±2℃） 5.溫度頻差：±20PPM 6.負載電容：12.5PF 7.諧振電阻：30KΩ max 8.靜態(tài)電容：7.0pF max 9.激勵功率：10μW 10.年老化率：±5ppm／year 11.絕緣阻抗：500MΩ（DC100±15V） 12.測試儀器：1240 13.標(biāo) 記：32.768 二、機械和環(huán)境性能 1.自由跌落（沖擊）：從35cm高度自由跌落到2cm厚的膠 板上，跌落3次，跌落后晶體頻差不可超過5ppm。 2. 振動：頻率10~55Hz，振幅0.75mm，X Y Z方向各振動 30分鐘。 頻率變化≤±30ppm。 3.溫度循環(huán)： 2~3min -10℃ ……… +60℃ 30min 30min 循環(huán)三次后，外觀無損傷。性能檢驗要求同振動。 | |
4.可焊性:從引線末端至底部2~3.0mm處放入235℃±5℃的焊 槽內(nèi)，時間2±0.5秒，沾錫面>95%。性能檢驗要求 同振動。 5.耐焊接熱：從引線末端至底部2~2.5mm處放入250℃ ±10℃的焊槽內(nèi)，時間3.5±0.5秒，試驗后，外觀 無異常，性能檢驗要求同振動。 6.耐低溫：在-25℃±3℃下，放置2小時，取出后在常 溫下恢復(fù)2小時，性能檢驗同振動要求。 7.耐高溫：在+70℃±2℃下，放置2小時，取出后在常 溫下恢復(fù)2小時，性能檢驗同振動要求。 8.恒定濕熱：在40±3℃，RH93％±2％，放置48小時， 取出后恢復(fù)2小時，外觀無異常，性能檢驗同振動要 求。 9.高溫老化：120℃±2℃老化48小時，取出后常溫恢復(fù) 2小時。頻率變化≤±5ppm，電阻變化≤±25Ω。 | |