詳細(xì)信息
1、主要性能指標(biāo)
溫度系數(shù):0±30ppm/℃,-55℃~125℃;
電容量漂移:不超過±0.3%或±0.05pF,取較大者。
介質(zhì)損耗:
容量 | CR≥50pF | CR<50pF |
介質(zhì)損耗 | tgδ≤15×10-4 | tgδ≤1.5×(150/ CR+7) ×10-4 |
老化特性:無;
絕緣電阻:在20℃下:
容量 | ≤10nF | >10nF |
絕緣電阻 | Ri≥10000MΩ | Ri*CR≥100S |
介質(zhì)耐電壓(測(cè)試?yán)擞侩娏鞯臉O限值:UR≤1250V的應(yīng)限制在30mA到50mA之間,對(duì)UR≥1251V的最大為10mA):
額定電壓 | 測(cè)試電壓 | 測(cè)試時(shí)間 |
UR<200V | 2.5 UR | 1~5sec |
200V≤UR≤1000V | 1.5 UR | 1~5sec |
UR>1000V | 1.2 UR | 1~5sec |
2、產(chǎn)品型號(hào)規(guī)格
CC4- | 0805 | COG | 101 | J | 500 | N | T |
︱ | ︱ | ︱ | ︱ | ︱ | ︱ | ︱ | |
產(chǎn)品外形 | 尺寸 規(guī)格 | 介質(zhì)種類 | 標(biāo)稱電容量(單位:pF) | 誤差級(jí)別 | 額定電壓 | 端頭 類型 | 包裝 形式 |
無表示:片式 CC4:引線型 | 0402 ~ 2225 | COG: 0±30ppm/℃ -55℃~125℃ | 前兩位數(shù)字為有效數(shù)字,后一位數(shù)字為10的冪數(shù); | B:±0.10pF C:±0.25pF D:±0.50pF F:±1.0% G:±2.0% J:±5.0% | 前兩位數(shù)字為有效數(shù)字,后一位數(shù)字為10的冪數(shù); | N:三層電鍍 Ag(Cu)/Ni/Sn; S:全銀(或銅)端頭; | T:編帶包裝; B或空缺:散包裝 |
3、外形尺寸參數(shù)
4.1 片式電容器
尺寸代號(hào) | 尺 寸 ( mm ) | |||
L | W | Tmax | ||
0402 | 1.00±0.05 | 0.50±0.05 | 0.55 | |
0603 | 1.52±0.25 | 0.76±0.25 | 0.76 | |
0805 | 2.00±0.20 | 1.25±0.20 | 1.40 | |
1206 | 3.20±0.30 | 1.60±0.30 | 1.80 | |
1210 | 3.20±0.30 | 2.50±0.30 | 2.20 | |
1808 | 4.50±0.40 | 2.00±0.20 | 2.20 | |
1812 | 4.50±0.40 | 3.20±0.30 | 3.10 | |
2225 | 5.70±0.50 | 6.30±0.50 | 6.20 | |
e:可根據(jù)客戶要求調(diào)整,0.1~0.35mm |
一、 品名規(guī)格的表示方法:
(XXX) XXXX X XXX X XXX X X
① ② ③ ④ ⑤ ⑥ ⑦ ⑧
①.電容種類:TT:薄電容; S2,S3: 安規(guī)電容 HH:高Q電容 MW: 微型電容 OP:橫向電容 Y:排容 (xc:x個(gè)電容排列)
②.尺寸:(0603)0201;(1005)0402;(1608)0603;(2012)0805;
(3216)1206;(3225)1210;(4532)1812;(1632)0612(4x0603)
或: 21=0805(2012); 31=1206(3216)
32=1210(3225) 43=1812(4532)
③.材質(zhì):
N材:NPO(COG); B材: X=X5R;B=X7R; Y材:F=Y5V;Z5U
④.容值:
RXX=0.XXpF 1pF以下 例:R47=0.47pF
XRX=X.XpF 1pF-----10pF以下 例:4R7=4.7pF
XX0=XX*100pF 10pF----100pF以下 例:470=47pF
XX1=XX*101pF 100pF---1000pF以下 例:471=47*101pF
XX2=XX*102pF 1nF------10nF以下 例:472=47*102pF
XX3=XX*103pF 10nF----100nF以下 例:473=47*103pF
XX4=XX*104pF 100nF---1000nF以下 例:474=47*104pF
XX5=XX*105pF 1uF-------10uF以下 例:475=47*105pF
XX6=XX*106pF 10uF-----100uF以下 例:476=47*106pF
⑤.誤差檔位:
B=±0.1pF C=±0.25pF D=±0.5pF F=±1% G=±2% J=±5% K=±10% M=±20% Z=+80%/-20%
注:B,C,D用在Cap﹤10pF F,G,J,K,M,Z用在Cap≧10pF
⑥.耐壓:6R3=6.3V 100=10V 160=16V 250=25V 500=50V
101=100V 201=200V 251=250V 501=500V 631=630V
102=1kV 152=1.5kV 202=2kV 302=3kV
⑦。電鍍方式:L=Ag/Ni/Sn (用在NPO多) C=Cu/Ni/Sn (用在X7R,Y5V多)
⑧.包裝數(shù)量及方式:B:BULK 散裝(袋) C:BULK 散裝(盒)
T:7”reeled G: 13”reeled
二、電氣特性:
1.測(cè)試頻率:NPO:C≦1000pF. 1.0±0.2V/ms, 1MHz±10%
C﹥1000pF. 1.0±0.2V/ms, 1KHz±10%
X7R,X5R,Y5V: C≦10UF. 1.0±0.2V/ms, 1KHz±10%
C﹥10UF. 0.5±0.2V/ms, 120Hz±20%
2.IR:≧10GΩ,即:≧107Ω
特點(diǎn)
矩形,尺寸規(guī)格系列化,適用于混合集成電路或印刷電路的表面貼裝元件;
多種端電極引出材料,特別適用于表面組裝技術(shù)對(duì)可焊性和耐焊接熱的嚴(yán)格要求;
具有電感低,頻率特性好、可靠性高的特點(diǎn); 損耗低,電容量穩(wěn)定性高;
適用于各類設(shè)備中的諧振回路、耦合回路及要求低損耗、電容量高穩(wěn)定和絕緣電阻高的電路中;
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):GB/T 21041-2007《電子設(shè)備用固定電容器 第21部分 表面安裝用1類多層瓷介固定電容器》
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