CSD95372BQ5M

配單專家企業(yè)名單

型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說明
操作

CSD95372BQ5M
深圳市軒盛達(dá)電子有限公司
深圳市軒盛達(dá)電子有限公司
聯(lián)系人：陳
電話：1588932848313924772445
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道深南中路3006號(hào)佳和華強(qiáng)大廈五樓5C103
10000
-
原廠原裝現(xiàn)貨，代找緊缺料

CSD95372BQ5M
深圳市安博威科技有限公司
深圳市安博威科技有限公司
聯(lián)系人：吳
電話：18320850923
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格廣場(chǎng)1713室
6600
TI
LSON
18+
-
889%原裝正品，質(zhì)量保證

CSD95372BQ5MCT
深圳市企諾德電子有限公司
深圳市企諾德電子有限公司
聯(lián)系人：胡
電話：13480313979
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1002號(hào)賽格廣場(chǎng)54樓5403B-5404AB
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
15000
TI/德州儀器
22+
N/A
-
原裝正品專業(yè)BOM配單

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功能描述
IC SYNC BUCK NEXFET 12SON
制造商
texas instruments
系列
NexFET??
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態(tài)
有效
輸出配置
半橋
應(yīng)用
同步降壓轉(zhuǎn)換器
接口
PWM
負(fù)載類型
電感
技術(shù)
功率 MOSFET
導(dǎo)通電阻（典型值）
-
電流 - 輸出/通道
60A
電流 - 峰值輸出
90A
電壓 - 電源
4.5 V ~ 5.5 V
電壓 - 負(fù)載
4.5 V ~ 16 V
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
特性
自舉電路，狀態(tài)標(biāo)志
故障保護(hù)
限流，超溫，擊穿，短路，UVLO
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
12-Power LFDFN
供應(yīng)商器件封裝
12-LSON（5x6）
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1

CSD95372BQ5M 技術(shù)參數(shù)

CSD95372AQ5M 制造商:Texas Instruments 功能描述:MCM W/LITHIUM2 AND GEN2.1 FETS - Tape and Reel 制造商:Texas Instruments 功能描述:Synchronous Buck Power Stage 12-Pin SON EP T/R 制造商:Texas Instruments 功能描述:IC SYNC BUCK NEXFET 12SON 制造商:Texas Instruments 功能描述:mcm w/lithium2 and Gen2.1 FETS CSD88599Q5DCT 功能描述:MOSFET 2 N-CH 60V 22-VSON-CLIP 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個(gè) N 通道（半橋） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:- 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.1 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:27nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:4840pF @ 30V 功率 - 最大值:12W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:22-PowerTFDFN 供應(yīng)商器件封裝:22-VSON-CLIP (5x6) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD88584Q5DCT 功能描述:MOSFET 2 N-CH 40V 22-VSON-CLIP 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個(gè) N 通道（半橋） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:- 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:0.95 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:88nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:12400pF @ 20V 功率 - 最大值:12W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:22-PowerTFDFN 供應(yīng)商器件封裝:22-VSON-CLIP (5x6) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD88539NDT 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:15A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:28 毫歐 @ 5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.6V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:9.4nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:741pF @ 30V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD88539ND 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:15A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:28 毫歐 @ 5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.6V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:9.4nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:741pF @ 30V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-SOIC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD95378BQ5M CSD95378BQ5MC CSD95378BQ5MCT CSD95378BQ5MT CSD95379Q3M CSD95379Q3MT CSD95472Q5MC CSD95472Q5MCT CSD95481RWJ CSD95481RWJT CSD95482RWJ CSD95482RWJT CSD95490Q5MC CSD95490Q5MCT CSD95491Q5MC CSD95491Q5MCT CSD95492QVM CSD95492QVMT