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CSD23301

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

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CSD23301 技術參數(shù)
  • CSD23285F5T 功能描述:12V P-CHANNEL FEMTOFET MOSFET 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道 技術:MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓（Vdss）:12V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5.4A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:35 毫歐 @ 1A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:4.2nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:628pF @ 6V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-XFDFN 供應商器件封裝:3-PICOSTAR 標準包裝:1 CSD23285F5 功能描述:MOSFET P-CH 12V 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:12V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5.4A（Ta） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:4.2nC @ 4.5V Vgs（最大值）:-6V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:628pF @ 6V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:500mW（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:35 毫歐 @ 1A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:3-PICOSTAR 封裝/外殼:3-XFDFN 標準包裝:1 CSD23280F3T 功能描述:MOSFET P-CH 12V 1.8A PICOSTAR 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:12V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:1.8A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:116 毫歐 @ 400mA，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:0.95V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1.23nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:234pF @ 6V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-XFDFN 供應商器件封裝:3-PICOSTAR 標準包裝:1 CSD23280F3 功能描述:MOSFET P-CH 12V 1.8A PICOSTAR 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:12V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:1.8A（Ta） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:0.95V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:1.23nC @ 4.5V Vgs（最大值）:-6V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:234pF @ 6V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:500mW（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:116 毫歐 @ 400mA，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:3-PICOSTAR 封裝/外殼:3-XFDFN 標準包裝:1 CSD23203WT 功能描述:MOSFET P-CH 8V 3A 6DSBGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:8V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:3A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:19.4 毫歐 @ 1.5A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:6.3nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:914pF @ 4V 功率 - 最大值:750mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-UFBGA，DSBGA 供應商器件封裝:6-DSBGA 標準包裝:1 CSD242410 CSD242410W CSD242412 CSD24246 CSD24248 CSD24248SS CSD2425 CSD2425-10 CSD2425F CSD2425P CSD24308 CSD2440 CSD2450 CSD2475 CSD2490 CSD25201W15 CSD25202W15 CSD25202W15T
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