CSD17381F4T

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CSD17381F4T
深圳市海天鴻電子科技有限公司
深圳市海天鴻電子科技有限公司
聯(lián)系人：彭小姐、劉先生、李小姐
電話(huà)：0755-82552857-80913528851884（周日專(zhuān)線）
地址：深圳市福田區(qū)中航路中航北苑大廈A座22A3號(hào)
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
7500
TI
原廠原裝
1701+
-
只做原裝一手貨源，代理商分銷(xiāo)庫(kù)存

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北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話(huà)：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
百分百原裝正品假一賠十電話(huà)010-62...

CSD17381F4T
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話(huà)：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
250000
TI
250
最新批次
-
OEM渠道，價(jià)格超越代理！

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深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：雷春艷
電話(huà)：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào)）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
1315
TEXAS INS
1521+
-
全新原裝現(xiàn)貨

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功能描述
MOSFET N-CH 30V 3.1A 0402
制造商
texas instruments
系列
FemtoFET?
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態(tài)
有效
FET 類(lèi)型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能
標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓（Vdss）
30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
3.1A（Ta）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
109 毫歐 @ 500mA，8V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
1.1V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）
1.35nC @ 4.5V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）
195pF @ 15V
功率 - 最大值
500mW
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類(lèi)型
表面貼裝
封裝/外殼
3-XFDFN
供應(yīng)商器件封裝
3-PICOSTAR
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1

CSD17381F4T 技術(shù)參數(shù)

CSD17381F4 功能描述:MOSFET N-CH 30V 3.1A 0402 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:3.1A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:109 毫歐 @ 500mA，8A 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:1.35nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:195pF @ 15V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:3-XFDFN 供應(yīng)商器件封裝:3-PICOSTAR 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD17327Q5A 功能描述:MOSFET N-CH 30V 65A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:65A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:12.2 毫歐 @ 11A，8V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:3.4nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:506pF @ 15V 功率 - 最大值:3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-VSON（5x6）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD17322Q5A 功能描述:MOSFET N-CH 30V 87A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:87A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:8.8 毫歐 @ 14A，8V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:4.3nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:695pF @ 15V 功率 - 最大值:3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-VSON（5x6）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD17318Q2T 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 30V 25A 6WSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:25A（Tc）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，8V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:6nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:879pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:16W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:15.1 毫歐 @ 8A， 8V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:6-WSON（2x2）封裝/外殼:6-WDFN 裸露焊盤(pán) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD17313Q2T 功能描述:MOSFET N-CH 30V 5A 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:5A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:30 毫歐 @ 4A，8V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:2.7nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:340pF @ 15V 功率 - 最大值:2.4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:6-WDFN 裸露焊盤(pán) 供應(yīng)商器件封裝:6-WSON（2x2）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD17507Q5A CSD17510Q5A CSD17522Q5A CSD17527Q5A CSD17551Q3A CSD17551Q5A CSD17552Q3A CSD17552Q5A CSD17553Q5A CSD17555Q5A CSD17556Q5B CSD17556Q5BT CSD17559Q5 CSD17559Q5T CSD17570Q5B CSD17570Q5BT CSD17571Q2 CSD17573Q5B

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