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CPH6341-M-TL-E

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • CPH6341-M-TL-E
    CPH6341-M-TL-E

    CPH6341-M-TL-E

  • 深圳市一線半導(dǎo)體有限公司
    深圳市一線半導(dǎo)體有限公司

    聯(lián)系人:謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐

    電話:0755-8860880117727932378

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北華強(qiáng)花園B9F

  • 69200

  • ON

  • SANYO

  • 18+

  • -
  • 全新原裝,優(yōu)勢(shì)庫(kù)存

  • CPH6341-M-TL-E
    CPH6341-M-TL-E

    CPH6341-M-TL-E

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào))0755-83266697

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 2145000

  • ON SEMICO

  • 1521+

  • -
  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • CPH6341-M-TL-E
    CPH6341-M-TL-E

    CPH6341-M-TL-E

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號(hào))

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • ON

  • SOT23-6

  • 最新批號(hào)

  • -
  • 一級(jí)代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨!

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共19條 
  • 1
CPH6341-M-TL-E PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風(fēng)格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
CPH6341-M-TL-E 技術(shù)參數(shù)
  • CPH6337-TL-W 功能描述:MOSFET P-CH 12V 3.5A CPH6 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,1.8V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓(Vdss):12V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):3.5A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):70 毫歐 @ 1.5A,4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):5.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):405pF @ 6V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-23-6 細(xì)型,TSOT-23-6 供應(yīng)商器件封裝:6-CPH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CPH6337-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 12V 3.5A CPH6 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):Not For New Designs FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,1.8V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓(Vdss):12V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):3.5A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):70 毫歐 @ 1.5A,4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):5.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):405pF @ 6V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-23-6 細(xì)型,TSOT-23-6 供應(yīng)商器件封裝:6-CPH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 CPH6311-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 20V 5A CPH6 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,2.5V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):5A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):42 毫歐 @ 3A,4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):31nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1230pF @ 10V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-23-6 細(xì)型,TSOT-23-6 供應(yīng)商器件封裝:6-CPH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CPH6223-TL-E 功能描述:TRANS NPN 50V 3A CPH6 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):3A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):240mV @ 100mA,2A 電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):200 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:1.3W 頻率 - 躍遷:380MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-23-6 細(xì)型,TSOT-23-6 供應(yīng)商器件封裝:6-CPH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 CPH6153-TL-E 功能描述:TRANS PNP 20V 3A CPH6 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):3A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):20V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):195mV @ 75mA,1.5A 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):200 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:1.3W 頻率 - 躍遷:500MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-23-6 細(xì)型,TSOT-23-6 供應(yīng)商器件封裝:6-CPH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 CPH6354-TL-W CPH6355-TL-H CPH6355-TL-W CPH6411-TL-E CPH6429-TL-E CPH6434-TL-E CPH6442-TL-E CPH6442-TL-W CPH6443-P-TL-H CPH6443-TL-H CPH6443-TL-W CPH6444-TL-E CPH6444-TL-W CPH6445-TL-W CPH6501-TL-E CPH6531-TL-E CPH6532-TL-E CPH6538-TL-H
配單專家

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