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CMPDM7002AG BK

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
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CMPDM7002AG BK PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 60V 0.28A SOT-23
  • 制造商
  • central semiconductor corp
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 散裝
  • 零件狀態(tài)
  • 有效
  • FET 類型
  • MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 功能
  • 標(biāo)準(zhǔn)
  • 漏源極電壓(Vdss)
  • 60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時)
  • 280mA(Ta)
  • 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值)
  • 2 歐姆 @ 500mA,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
  • 2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)
  • 0.59nC(4.5V)
  • 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)
  • 50pF @ 25V
  • 功率 - 最大值
  • 350mW
  • 工作溫度
  • -65°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • SOT-23
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 3,500
CMPDM7002AG BK 技術(shù)參數(shù)
  • CMPDM303NH TR 功能描述:MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT-23F 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):3.6A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):40 毫歐 @ 1.8A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):13nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):590pF @ 10V 功率 - 最大值:350mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-23-3 扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23F 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CMPDM302PH TR 功能描述:MOSFET P-CH 30V 2.4A SOT-23F 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):2.4A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):91 毫歐 @ 1.2A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):9.6nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):800pF @ 10V 功率 - 最大值:350mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-23-3 扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23F 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CMPDM203NH TR 功能描述:MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-23F 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):3.2A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):50 毫歐 @ 1.6A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):10nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):395pF @ 10V 功率 - 最大值:350mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-23-3 扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23F 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CMPDM202PH TR 功能描述:MOSFET P-CH 20V 2.3A SOT-23F 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):2.3A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):88 毫歐 @ 1.2A,5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):12nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):800pF @ 10V 功率 - 最大值:350mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-23-3 扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23F 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CMPD914E TR 功能描述:Diode Standard 75V 250mA Surface Mount SOT-23 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):75V 電流 - 平均整流(Io):250mA 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):970mV @ 100mA 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 反向恢復(fù)時間(trr):4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 150V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:2pF @ 0V,1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CMPFJ176 TR CMPH1 CMPH1C CMPH1W CMPH2 CMPH2C CMPH2W CMPHF1 CMPHF2 CMPHH2 CMPHHF1 CMPP6028 TR CMPS5062 TR CMPS5062 TR H CMPS5064 TR CMPSH05-4 BK CMPSH05-4 TR CMPSH05-4C TR
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