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CIG22B2R2MAE

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  • 型號
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CIG22B2R2MAE PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • FIXED IND 2.2UH 1.1A 190 MOHM
  • 制造商
  • samsung electro-mechanics
  • 系列
  • CIG22B_MAE
  • 包裝
  • 帶卷(TR)
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • 類型
  • 多層
  • 材料 - 磁芯
  • -
  • 電感
  • 2.2μH
  • 容差
  • ±20%
  • 額定電流
  • 1.1A
  • 屏蔽
  • 屏蔽
  • DC 電阻(DCR)
  • 190 毫歐
  • 不同頻率時的 Q 值
  • -
  • 等級
  • -
  • 工作溫度
  • -40°C ~ 125°C
  • 頻率 - 測試
  • 1MHz
  • 特性
  • -
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • 1008(2520 公制)
  • 供應商器件封裝
  • 1008(2520 公制)
  • 大小/尺寸
  • 0.098" 長 x 0.079" 寬(2.50mm x 2.00mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)
  • 0.032"(0.80mm)
  • 標準包裝
  • 3,000
CIG22B2R2MAE 技術參數(shù)
  • CIG22B1R5MNE 功能描述:FIXED IND 1.5UH 1.15A 148 MOHM 制造商:samsung electro-mechanics 系列:CIG22B 零件狀態(tài):在售 類型:多層 材料 - 磁芯:- 電感:1.5μH 容差:±20% 額定電流:1.15A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):148 毫歐 不同頻率時的 Q 值:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 特性:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1008(2520 公制) 供應商器件封裝:1008(2520 公制) 大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬(2.50mm x 2.00mm) 高度 - 安裝(最大值):0.039"(1.00mm) 標準包裝:3,000 CIG22B1R0MNE 功能描述:1μH Shielded Multilayer Inductor 1.2A 125 mOhm 1008 (2520 Metric) 制造商:samsung electro-mechanics america, inc. 系列:CIG22B 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 類型:多層 材料 - 磁芯:- 電感:1μH 容差:±20% 額定電流:1.2A 電流 - 飽和值:2A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):125 毫歐 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1008(2520 公制) 大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬(2.50mm x 2.00mm) 高度 - 安裝(最大值):* 標準包裝:1 CIG22B1R0MAE 功能描述:FIXED IND 1UH 1.3A 110 MOHM SMD 制造商:samsung electro-mechanics 系列:CIG22B_MAE 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):在售 類型:多層 材料 - 磁芯:- 電感:1μH 容差:±20% 額定電流:1.3A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):110 毫歐 不同頻率時的 Q 值:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 特性:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1008(2520 公制) 供應商器件封裝:1008(2520 公制) 大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬(2.50mm x 2.00mm) 高度 - 安裝(最大值):0.032"(0.80mm) 標準包裝:3,000 CIG21W4R7MNE 功能描述:4.7μH Shielded Multilayer Inductor 650mA 300 mOhm 0805 (2012 Metric) 制造商:samsung electro-mechanics america, inc. 系列:CIG21W 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 類型:多層 材料 - 磁芯:- 電感:4.7μH 容差:±20% 額定電流:650mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):300 毫歐 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0805(2012 公制) 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm) 高度 - 安裝(最大值):* 標準包裝:1 CIG21W3R3MNE 功能描述:3.3μH Shielded Multilayer Inductor 730mA 250 mOhm 0805 (2012 Metric) 制造商:samsung electro-mechanics america, inc. 系列:CIG21W 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) 類型:多層 材料 - 磁芯:- 電感:3.3μH 容差:±20% 額定電流:730mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):250 毫歐 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0805(2012 公制) 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm) 高度 - 安裝(最大值):* 標準包裝:1 CIG22BR47MNE CIG22BR56MAE CIG22BR56MNE CIG22E1R0MAE CIG22E1R0MNE CIG22E1R0SNE CIG22E1R5MNE CIG22E2R2MNE CIG22E3R3MNE CIG22E4R7MNE CIG22ER47MNE CIG22ER50SNE CIG22H1R0MAE CIG22H1R0MNE CIG22H1R2MAE CIG22H1R2MNE CIG22H1R5MAE CIG22H1R5MNE
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