CDM2206-800LR SL

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說明
操作

CDM2206-800LR SL
深圳市歐和寧電子有限公司
深圳市歐和寧電子有限公司
聯系人：李先生
電話：0755-292759351581559886118576729816
地址：廣東省深圳市福田區(qū) 華強北賽格科技園6C18室
39800
Central
TO-220
新年份
-
一級代理全新原裝現貨特價！

CDM2206-800LR SL
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質：營業(yè)執(zhí)照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
百分百原裝正品假一賠十電話010-62...

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功能描述
MOSFET N-CH 800V 6A TO220
制造商
central semiconductor corp
系列
-
包裝
管件
零件狀態(tài)
有效
FET 類型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能
標準
漏源極電壓（Vdss）
800V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）
6A（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
950 毫歐 @ 3A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）
24.3nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）
*
功率 - 最大值
110W
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商器件封裝
TO-220
標準包裝
50

CDM2206-800LR SL 技術參數

CDM2205-800FP SL 功能描述:MOSFET N-CH 5A 800V TO-220FP 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.7 歐姆 @ 2.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:17.4nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:705pF @ 25V 功率 - 最大值:48W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商器件封裝:TO-220FP 標準包裝:50 CDM22012-800LRFP SL 功能描述:MOSFET N-CH 800V 12A 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:12A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:450 毫歐 @ 6A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:52.4nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1090pF @ 100V 功率 - 最大值:40W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商器件封裝:TO-220FP 標準包裝:50 CDM22011-600LRFP SL 功能描述:MOSFET N-CH 11A 600V TO-220FP 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:11A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:360 毫歐 @ 5.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:23.05nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:763pF @ 100V 功率 - 最大值:25W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商器件封裝:TO-220FP 標準包裝:50 CDM22010-650 SL 功能描述:MOSFET N-CH 10A 650V TO220 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:10A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1 歐姆 @ 5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:20nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1168pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:50 CDM-22 功能描述:22 電路 0.546"（13.86mm）阻隔塊連接器, 螺釘制造商:curtis industries 系列:CDM 包裝:散裝零件狀態(tài):有效端子塊類型:阻隔塊電路數:22 進線數:44 間距:0.546"（13.86mm）排數:2 額定電流:30A 額定電壓:600V 線規(guī):10-22 AWG 頂部端接:螺釘底部端接:閉合式隔板類型:雙壁（雙）特性:法蘭，標記條顏色:- 端子螺紋材料:- 端子螺紋表面:- 安裝類型:底座，面板工作溫度:130°C 材料 - 絕緣:熱塑性聚酯材料可燃性等級:UL94 V-0 標準包裝:10 CDM-30 CDM-31 CDM-32 CDM-33 CDM-34 CDM-35 CDM-36 CDM-37 CDM-38 CDM3-800 TR13 CDM-39 CDM-4 CDM-40 CDM-41 CDM-42 CDM-43 CDM-44 CDM-45