C3M0120100K

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價(jià)格
說明
操作

C3M0120100K
深圳市英科美電子有限公司
深圳市英科美電子有限公司
聯(lián)系人：張先生
電話：0755-23903058
地址：深圳市福田區(qū)振興路西101號華勻大廈1棟7F
1800
CREE
TO247-4
22+
-
每一片都來自原廠，正品保證

C3M0120100K
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
聯(lián)系人：朱先生
電話：0755-82999903
地址：深圳市福田區(qū)中航路42號中航北苑大廈C座6C3
60
TO-247-4
Cree
1840+
-
瑞智芯只有原裝

C3M0120100K
深圳市華盛錦科技有限公司
深圳市華盛錦科技有限公司
聯(lián)系人：張先生/雷小姐
電話：0755-8279802015814679726（承諾只售原裝正品，終端BOM配單一站式服務(wù)）
地址：華強(qiáng)街道賽格廣場55樓5566室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
36890
CREE
TO-247
21+原廠授權(quán)
-

C3M0120100K
無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
聯(lián)系人：張小姐
電話：15961889159
地址：江蘇省無錫市新區(qū)新梅路68號
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
1000
isc/固電半導(dǎo)體
TO-247-4L
24+
-
國產(chǎn)品牌，替代進(jìn)口

C3M0120100K
中山市翔美達(dá)電子科技有限公司
中山市翔美達(dá)電子科技有限公司
聯(lián)系人：朱小姐
電話：155020706551802218672813590991023
地址：火炬開發(fā)區(qū)中山港大道99號金盛廣場1棟613室
6000
CREE
QFP
22+
-
原裝正品現(xiàn)貨

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1

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功能描述
MOSFET N-CH 1000V 22A TO247-4L
制造商
cree/wolfspeed
系列
C3M?
包裝
管件
零件狀態(tài)
在售
FET 類型
N 溝道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
1000V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
22A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
15V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
3.5V @ 3mA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）
21.5nC @ 15V
Vgs（最大值）
±15V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）
350pF @ 600V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
83W（Tc）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
155 毫歐 @ 15A，15V
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應(yīng)商器件封裝
TO-247-4L
封裝/外殼
TO-247-4
標(biāo)準(zhǔn)包裝
30

C3M0120100K 技術(shù)參數(shù)

C3M0120100J 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 22A D2PAK-7 制造商:cree/wolfspeed 系列:C3M? 包裝:管件零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):SiC（碳化硅結(jié)晶體管）漏源電壓（Vdss）:1000V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:22A（Tc）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:15V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 3mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:21.5nC @ 15V Vgs（最大值）:+15V，-4V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:350pF @ 600V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:83W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:155 毫歐 @ 15A，15V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:D2PAK-7 封裝/外殼:TO-263-8，D2Pak（7 引線+接片），TO-263CA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 C3M0120090J-TR 功能描述:MOSFET N-CH 900V 22A 制造商:cree/wolfspeed 系列:C3M? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源極電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:22A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:155 毫歐 @ 15A，15V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 3mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:17.3nC @ 15V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:350pF @ 600V 功率 - 最大值:83W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-8，D2Pak（7 引線+接片），TO-263CA 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK-7 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 C3M0120090J 功能描述:MOSFET N-CH 900V 22A 制造商:cree/wolfspeed 系列:C3M? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源極電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:22A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:155 毫歐 @ 15A，15V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 3mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:17.3nC @ 15V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:350pF @ 600V 功率 - 最大值:83W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-8，D2Pak（7 引線+接片），TO-263CA 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK-7 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 C3M0120090D 功能描述:900V, 120 MOHM, G3 SIC MOSFET 制造商:cree/wolfspeed 系列:C3M? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源極電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:23A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:155 毫歐 @ 15A，15V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 3mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:17.3nC @ 15V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:350pF @ 600V 功率 - 最大值:97W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 C3M0075120K 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 30.8A TO247-4 制造商:cree/wolfspeed 系列:C3M? 包裝:管件零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):SiCFET（碳化硅）漏源電壓（Vdss）:1200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:30.8A（Tc）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:15V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:51nC @ 15V Vgs（最大值）:+19V，-8V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:1350pF @ 1000V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:119W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:90 毫歐 @ 20A，15V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-247-4L 封裝/外殼:TO-247-4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 C3PES-1006G C3PES-1006M C3PES-1018G C3PES-1018M C3PES-1036G C3PES-1036M C3PES-2006G C3PES-2006M C3PES-2018G C3PES-2018M C3PES-2036G C3PES-2036M C3PES-2606G C3PES-2606M C3PES-2618G C3PES-2618M C3PES-2636G C3PES-2636M