參數(shù)資料
型號： BGD812
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 運動控制電子
英文描述： 870 MHz, 18.5 dB gain power doubler amplifier
封裝： BGD812<SOT115J|<<<1<Always Pb-free,;
文件頁數(shù)： 6/10頁
文件大?。?/td> 282K
代理商： BGD812
2001 Oct 30
6
NXP Semiconductors
Product specification
860 MHz, 18.5 dB gain power doubler
amplifier
BGD812
handbook, halfpage
0
Vo
(dBmV)
f (MHz)
CTB
(dB)
200
1000
50
70
80
60
52
48
40
36
44
400
600
800
MLD354
(1)
(2)
(3)
(4)
Fig.5
Composite triple beat as a function of
frequency under tilted conditions.
Z
S
= Z
L
= 75
; V
B
= 24 V; 112 chs; tilt = 10.3 dB (50 to 750 MHz).
(1) V
o
.
(2) Typ. +3
.
(3) Typ.
(4) Typ.
3
.
handbook, halfpage
Xmod
(dB)
0
Vo
(dBmV)
f (MHz)
200
1000
50
70
80
60
52
48
40
36
44
400
600
800
MLD355
(1)
(2)
(3)
(4)
Fig.6
Cross modulation as a function of frequency
under tilted conditions.
Z
S
= Z
L
= 75
; V
B
= 24 V; 112 chs; tilt = 10.3 dB (50 to 750 MHz).
(1) V
o
.
(2) Typ. +3
.
(3) Typ.
(4) Typ.
3
.
handbook, halfpage
CSO
(dB)
0
Vo
(dBmV)
f (MHz)
200
1000
60
80
90
70
52
48
40
36
44
400
600
800
MLD356
(1)
(2)
(3)
(4)
Fig.7
Composite second order distortion as a
function of frequency under tilted
conditions.
(1) V
o
.
(2) Typ. +3
.
(3) Typ.
(4) Typ.
3
.
Z
S
= Z
L
= 75
; V
B
= 24 V; 112 chs; tilt = 10.3 dB (50 to 750 MHz).
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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