參數(shù)資料
型號： BGD812
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 運(yùn)動(dòng)控制電子
英文描述： 870 MHz, 18.5 dB gain power doubler amplifier
封裝： BGD812<SOT115J|<<<1<Always Pb-free,;
文件頁數(shù)： 5/10頁
文件大小： 282K
代理商： BGD812
2001 Oct 30
5
NXP Semiconductors
Product specification
860 MHz, 18.5 dB gain power doubler
amplifier
BGD812
handbook, halfpage
CTB
(dB)
0
Vo
(dBmV)
f (MHz)
200
1000
60
80
90
70
52
48
40
36
44
400
600
800
MLD351
(1)
(2)
(3)
(4)
Fig.2
Composite triple beat as a function of
frequency under tilted conditions.
Z
S
= Z
L
= 75
; V
B
= 24 V; 79 chs; tilt = 7.3 dB (50 to 550 MHz).
(1) V
o
.
(2) Typ. +3
.
(3) Typ.
(4) Typ.
3
.
handbook, halfpage
Xmod
(dB)
0
Vo
(dBmV)
f (MHz)
200
1000
50
70
80
60
52
48
40
36
44
400
600
800
MLD352
(1)
(2)
(3)
(4)
Fig.3
Cross modulation as a function of frequency
under tilted conditions.
Z
S
= Z
L
= 75
; V
B
= 24 V; 79 chs; tilt = 7.3 dB (50 to 550 MHz).
(1) V
o
.
(2) Typ. +3
.
(3) Typ.
(4) Typ.
3
.
handbook, halfpage
CSO
(dB)
0
Vo
(dBmV)
f (MHz)
200
1000
60
80
90
70
52
48
40
36
44
400
600
800
MLD353
(1)
(2)
(3)
(4)
Fig.4
Composite second order distortion as a
function of frequency under tilted
conditions.
Z
S
= Z
L
= 75
; V
B
= 24 V; 79 chs; tilt = 7.3 dB (50 to 550 MHz).
(1) V
o
.
(2) Typ. +3
.
(3) Typ.
(4) Typ.
3
.
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PDF描述
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參數(shù)描述
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