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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BFQ166 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類(lèi)： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | NPN video transistor |
| 中文描述： | Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC PACKAGE-4 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 65K |
| 代理商： | BFQ166 |
1997 Oct 02
3
Philips Semiconductors
Product specification
NPN video transistor
BFQ166
THERMAL CHARACTERISTICS
Notes
1.
2.
T
s
is the temperature at the soldering point of the collector lead.
Device mounted on a printed-circuit board measuring 40
×
40
×
1 mm (collector pad 35
×
17 mm).
CHARACTERISTICS
T
j
= 25
°
C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
R
th j-s
thermal resistance from junction to soldering point
T
s
= 105
°
C; P
tot
= 2 W;
notes 1 and 2
35
K/W
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
60
4.5
3.2
MAX.
100
UNIT
V
(BR)CBO
V
(BR)CER
V
(BR)CEO
I
CES
h
FE
C
c
C
cb
collector-base breakdown voltage
collector-emitter breakdown voltage
collector-emitter breakdown voltage
collector-emitter cut-off current
DC current gain
collector capacitance
collector-base capacitance
I
C
= 5 mA; I
E
= 0
I
C
= 10 mA; R
BE
= 100
I
C
= 10 mA; I
B
= 0
V
CE
= 10 V; V
BE
= 0
I
C
= 300 mA; V
CE
= 5 V; see Fig.4 50
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 5 V; f = 1 MHz
I
C
= i
c
= 0; V
CB
= 5 V; f = 1 MHz;
see Fig.6
I
C
= 300 mA; V
CE
= 5 V;
f = 100 MHz; T
amb
= 25
°
C;
see Fig.5
20
19
10
V
V
V
μ
A
pF
pF
f
T
transition frequency
1
GHz
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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