參數(shù)資料
型號: BDX53E
英文描述: TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 140V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-220AB
中文描述: 晶體管|晶體管|達林頓| npn型| 140伏特五(巴西)總裁| 8A條一(c)| TO - 220AB現(xiàn)有
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代理商: BDX53E
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BDX54BFI Metal Oxide Varistor (MOV); Voltage Rating AC, Vrms:130Vrms; Voltage Rating DC, Vdc:170VDC; Peak Surge Current (8/20uS), Itm:10000A; Clamping Voltage 8/20us Max :340V; Capacitance, Cd:1900pF; Package/Case:20mm Disc
BDX54E Metal Oxide Varistor (MOV); Voltage Rating AC, Vrms:175Vrms; Voltage Rating DC, Vdc:225VDC; Peak Surge Current (8/20uS), Itm:10000A; Clamping Voltage 8/20us Max :455V; Capacitance, Cd:1400pF; Package/Case:20mm Disc
BDX54S Metal Oxide Varistor (MOV); Voltage Rating AC, Vrms:275Vrms; Voltage Rating DC, Vdc:350VDC; Peak Surge Current (8/20uS), Itm:10000A; Clamping Voltage 8/20us Max :710V; Capacitance, Cd:900pF; Package/Case:20mm Disc
BDX53 POWER TRANSISTORS(8A.,45-100V,60W)
BDX53C POWER TRANSISTORS(8A.,45-100V,60W)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BDX53F 功能描述:達林頓晶體管 Silicon Pwr Trnsistr RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
BDX53S 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 150V V(BR)CEO | 6A I(C) | TO-39
BDX53-S 功能描述:達林頓晶體管 45V 8A NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
BDX53TU 功能描述:達林頓晶體管 NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
BDX54 功能描述:達林頓晶體管 60W 8A PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel