BLF6G27S-45

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功能描述
射頻MOSFET電源晶體管 LDMOS TNS
RoHS
否
制造商
Freescale Semiconductor
配置
Single
晶體管極性
頻率
1800 MHz to 2000 MHz
增益
27 dB
輸出功率
100 W
汲極/源極擊穿電壓
漏極連續(xù)電流
閘/源擊穿電壓
最大工作溫度
封裝 / 箱體
NI-780-4
封裝
Tray

BLF6G27S-45 技術(shù)參數(shù)

BLF6G27LS-75,118 功能描述:RF Mosfet LDMOS 28V 600mA 9W SOT502B 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期晶體管類型:LDMOS 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:28V 額定電流:18A 噪聲系數(shù):- 電流 - 測試:600mA 功率 - 輸出:9W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:SOT-502B 供應(yīng)商器件封裝:SOT502B 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 BLF6G27LS-75,112 功能描述:FET RF 65V SOT502B 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包裝:托盤零件狀態(tài):過期晶體管類型:LDMOS 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:28V 額定電流:18A 噪聲系數(shù):- 電流 - 測試:600mA 功率 - 輸出:9W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:SOT-502B 供應(yīng)商器件封裝:SOT502B 標(biāo)準(zhǔn)包裝:20 BLF6G27LS-50BN,118 功能描述:RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 430mA 2.5GHz ~ 2.7GHz 16.5dB 3W CDFM6 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效晶體管類型:LDMOS（雙）頻率:2.5GHz ~ 2.7GHz 增益:16.5dB 電壓 - 測試:28V 額定電流:12A 噪聲系數(shù):- 電流 - 測試:430mA 功率 - 輸出:3W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:SOT-1112B 供應(yīng)商器件封裝:CDFM6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 BLF6G27LS-50BN,112 功能描述:RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 430mA 2.5GHz ~ 2.7GHz 16.5dB 3W CDFM6 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效晶體管類型:LDMOS（雙）頻率:2.5GHz ~ 2.7GHz 增益:16.5dB 電壓 - 測試:28V 額定電流:12A 噪聲系數(shù):- 電流 - 測試:430mA 功率 - 輸出:3W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:SOT-1112B 供應(yīng)商器件封裝:CDFM6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:20 BLF6G27LS-40PGJ 功能描述:RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 28V 450mA 2.5GHz ~ 2.7GHz 17.5dB 12W SOT-1121E 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效晶體管類型:LDMOS（雙），共源頻率:2.5GHz ~ 2.7GHz 增益:17.5dB 電壓 - 測試:28V 額定電流:- 噪聲系數(shù):- 電流 - 測試:450mA 功率 - 輸出:12W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:SOT-1121E 供應(yīng)商器件封裝:SOT-1121E 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 BLF6G38-50,112 BLF6G38-50,135 BLF6G38LS-100,112 BLF6G38LS-50,112 BLF6G38LS-50,118 BLF6G38S-25,112 BLF6G38S-25,118 BLF6H10L-160,112 BLF6H10LS-160,112 BLF6H10LS-160,118 BLF7G10L-250,112 BLF7G10L-250,118 BLF7G10LS-250,112 BLF7G10LS-250,118 BLF7G15LS-200,112 BLF7G15LS-200,118 BLF7G15LS-300P,112 BLF7G15LS-300P,118