BC857S

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功能描述
兩極晶體管 - BJT SOT-23 PNP GP AMP
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
配置
晶體管極性
PNP
集電極—基極電壓 VCBO
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
- 40 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO
- 6 V
集電極—射極飽和電壓
最大直流電集電極電流
增益帶寬產(chǎn)品fT
直流集電極/Base Gain hfe Min
100 A
最大工作溫度
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
PowerFLAT 2 x 2

BC857S 技術參數(shù)

BC857RAZ 功能描述:BC857RA/SOT1268/DFN1412-6 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售晶體管類型:2 PNP（雙）電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:325mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-XFDFN 裸露焊盤供應商器件封裝:DFN1412-6 標準包裝:1 BC857QASZ 功能描述:TRANS 2PNP 45V 0.1A DFN1010B-6 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售晶體管類型:2 PNP（雙）電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:100mV @ 2mA，5V 電流 - 集電極截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:350mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-XFDFN 裸露焊盤供應商器件封裝:DFN1010B-6 標準包裝:1 BC857QASX 功能描述:TRANS PNP 45V 0.1A 6DFN 制造商:nxp semiconductors 系列:* 零件狀態(tài):有效標準包裝:5,000 BC857CWT1G 功能描述:TRANS PNP 45V 0.1A SOT-323 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:650mV @ 5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:420 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:150mW 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:SC-70-3（SOT323）標準包裝:1 BC857CWT1 功能描述:TRANS PNP 45V 0.1A SOT-323 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:650mV @ 5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:420 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:150mW 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:SC-70-3（SOT323）標準包裝:3,000 BC857W,135 BC858A RFG BC858A-7-F BC858AE6327HTSA1 BC858A-HF BC858ALT1 BC858ALT1G BC858AMTF BC858AW-7-F BC858AW-G BC858AWT1 BC858AWT1G BC858B RFG BC858B,215 BC858B,235 BC858B-7-F BC858BE6327HTSA1 BC858BE6433HTMA1