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BZX55C4V3-TAP

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  • BZX55C4V3-TAP
    BZX55C4V3-TAP

    BZX55C4V3-TAP

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機優(yōu)先微信同號）0755-83266697

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

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  • BZX55C4V3-TAP
    BZX55C4V3-TAP

    BZX55C4V3-TAP

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：何芝

    電話：19129491934(手機優(yōu)先微信同號)0755-82865099

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 4556

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  • BZX55C4V3-TAP
    BZX55C4V3-TAP

    BZX55C4V3-TAP

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 8650000

  • VISHAY

  • DO35

  • 最新批號

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BZX55C4V3-TAP PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • 穩(wěn)壓二極管 4.3 Volt 0.5W 5%
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • Vishay Semiconductors
  • 齊納電壓
  • 12 V
  • 電壓容差
  • 5 %
  • 電壓溫度系數(shù)
  • 0.075 % / K
  • 齊納電流
  • 功率耗散
  • 3 W
  • 最大反向漏泄電流
  • 3 uA
  • 最大齊納阻抗
  • 7 Ohms
  • 最大工作溫度
  • + 150 C
  • 安裝風(fēng)格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • DO-214AC
  • 封裝
  • Reel
BZX55C4V3-TAP 技術(shù)參數(shù)
  • BZX55C4V3_T50R 功能描述:Zener Diode 4.3V 500mW ±7% Through Hole DO-35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:4.3V 容差:±7% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:75 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.3V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 BZX55C4V3_T50A 功能描述:Zener Diode 4.3V 500mW ±7% Through Hole DO-35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態(tài):過期 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:4.3V 容差:±7% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:75 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.3V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 BZX55C4V3 A0G 功能描述:DIODE ZENER 4.3V 500MW DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:4.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:75 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 100mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 BZX55C4V3 功能描述:Zener Diode 4.3V 500mW ±7% Through Hole DO-35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:4.3V 容差:±7% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:75 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.3V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 BZX55C47-TR 功能描述:Zener Diode 47V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:47V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:110 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 36V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 BZX55C51_T50A BZX55C51_T50R BZX55C51-TAP BZX55C51-TR BZX55C56 BZX55C56 A0G BZX55C56_T50A BZX55C56_T50R BZX55C56-TAP BZX55C56-TR BZX55C5V1 BZX55C5V1 A0G BZX55C5V1_T50A BZX55C5V1_T50R BZX55C5V1-TAP BZX55C5V1-TR BZX55C5V6 BZX55C5V6 A0G
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