BUK7210-55B,118

配單專家企業(yè)名單

型號
供應商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

BUK7210-55B,118
深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
聯(lián)系人：吳經(jīng)理
電話：18138401919
地址：深圳市福田區(qū)賽格科技園4棟中7樓7B30
69880
NEXPERIA/安世
SOT428
2021+
-
★★正規(guī)渠道★原廠正品最新貨源現(xiàn)貨供應★...

BUK7210-55B,118
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯(lián)系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會軒3607
資質：營業(yè)執(zhí)照
90000
NXP Semiconductors
DPAK
18+
-
MOSFET N-CH 55V DPAK

BUK7210-55B,118
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質：營業(yè)執(zhí)照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
百分百原裝正品假一賠十電話010-62...

BUK7210-55B,118
深圳市澤芯微科技有限公司
深圳市澤芯微科技有限公司
聯(lián)系人：柯小姐
電話：0755-8273028382732023
地址：中航路新亞洲國利大廈A座24層12室
2000
nxp
to252
1443+
-
進口原裝現(xiàn)貨，一定自己庫存

BUK7210-55B,118
深圳市企諾德電子有限公司
深圳市企諾德電子有限公司
聯(lián)系人：胡
電話：13480313979
地址：深圳市福田區(qū)華強北路1002號賽格廣場54樓5403B-5404AB
資質：營業(yè)執(zhí)照
15000
NXP
N/A
22+
-
原裝正品專業(yè)BOM配單

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功能描述
MOSFET Trans MOSFET N-CH 55V 83A 3-Pin(2+Tab)
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續(xù)電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

BUK7210-55B,118 技術參數(shù)

BUK7208-40B,118 功能描述:MOSFET N-CH 40V 75A DPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:75A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:35nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2493pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:167W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 185°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:DPAK 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 標準包裝:1 BUK7207-30B,118 功能描述:MOSFET N-CH 30V 75A DPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:75A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:34nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2245pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:167W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 185°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:DPAK 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 標準包裝:1 BUK714R1-40BT,118 功能描述:MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchPLUS 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:二極管（隔離式）漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:75A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.1 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:83nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6808pF @ 25V 功率 - 最大值:272W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-5，D2Pak（4 引線+接片），TO-263BB 供應商器件封裝:SOT-426 標準包裝:1 BUK7109-75ATE,118 功能描述:MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:二極管（隔離式）漏源極電壓（Vdss）:75V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:75A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:9 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:121nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4700pF @ 25V 功率 - 最大值:272W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-5，D2Pak（4 引線+接片），TO-263BB 供應商器件封裝:SOT-426 標準包裝:1 BUK7109-75AIE,118 功能描述:MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchPLUS 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:電流感測漏源極電壓（Vdss）:75V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:75A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:9 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:121nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4700pF @ 25V 功率 - 最大值:272W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-5，D2Pak（4 引線+接片），TO-263BB 供應商器件封裝:SOT-426 標準包裝:1 BUK7226-75A,118 BUK7226-75A/C1,118 BUK7227-100B,118 BUK7230-55A,118 BUK7237-55A,118 BUK7240-100A,118 BUK724R5-30C,118 BUK725R0-40C,118 BUK7275-100A,118 BUK7277-55A,118 BUK7504-40A,127 BUK7505-30A,127 BUK7506-55A,127 BUK7506-55B,127 BUK7506-75B,127 BUK7507-30B,127 BUK7507-55B,127 BUK7508-40B,127