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BTS282ZE3180AATMA2

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  • BTS282ZE3180AATMA2
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  • 深圳市海天鴻電子科技有限公司
    深圳市海天鴻電子科技有限公司

    聯(lián)系人:彭小姐、劉先生、李小姐

    電話:0755-82552857-80913528851884(周日專線)

    地址:深圳市福田區(qū)中航路中航北苑大廈A座22A3號

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 7500

  • INFINEON

  • 原廠原裝

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  • BTS282ZE3180AATMA2
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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • INFINEON

  • 原廠封裝

  • 最新批號

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  • BTS282ZE3180AATMA2
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  • 深圳市華芯源電子有限公司
    深圳市華芯源電子有限公司

    聯(lián)系人:張小姐

    電話:1501927513013823545558

    地址:深圳市福田區(qū)華強路華強廣場D座16層18B

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 8435

  • INFINEON/英飛凌

  • NA

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  • BTS282ZE3180AATMA2
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  • 中山市翔美達電子科技有限公司
    中山市翔美達電子科技有限公司

    聯(lián)系人:朱小姐

    電話:155020706551802218672813590991023

    地址:火炬開發(fā)區(qū)中山港大道99號金盛廣場1棟613室

  • 9000

  • 英飛凌

  • SOP

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  • BTS282ZE3180AATMA2
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  • 深圳市澳億芯電子科技有限公司
    深圳市澳億芯電子科技有限公司

    聯(lián)系人:廖R

    電話:13163738578

    地址:龍崗區(qū)坂田五和大道山海大廈c 棟707

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  • INFINEON

  • C72-晶體管

  • -
  • BTS282ZE3180AATMA2
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  • 科創(chuàng)特電子(香港)有限公司
    科創(chuàng)特電子(香港)有限公司

    聯(lián)系人:

    電話:0755-83014603

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路3006號佳和大廈B座907

  • 1000

  • INFINEON

  • 主營優(yōu)勢

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BTS282ZE3180AATMA2 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • TEMPFET - Tape and Reel
BTS282ZE3180AATMA2 技術(shù)參數(shù)
  • BTS282ZAKSA1 功能描述:MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:溫度保護 漏源極電壓(Vdss):49V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):80A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):6.5 毫歐 @ 36A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 240μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):232nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4800pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-7(成形引線) 供應(yīng)商器件封裝:PG-TO220-7 標準包裝:500 BTS282Z E3230 功能描述:MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:溫度保護 漏源極電壓(Vdss):49V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):80A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):6.5 毫歐 @ 36A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 240μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):232nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4800pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-7 供應(yīng)商器件封裝:PG-TO220-7-230 標準包裝:500 BTS282Z E3180A 功能描述:MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:溫度保護 漏源極電壓(Vdss):49V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):80A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):6.5 毫歐 @ 36A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 240μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):232nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4800pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-8,D2Pak(7 引線+接片),TO-263CA 供應(yīng)商器件封裝:PG-TO220-7-180 標準包裝:1 BTS247ZE3062AATMA2 功能描述:MOSFET N-CH 55V 33A TO220-5 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:溫度保護 漏源極電壓(Vdss):55V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):33A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):18 毫歐 @ 12A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 90μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):90nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1730pF @ 25V 功率 - 最大值:120W 工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-5,D2Pak(4 引線+接片),TO-263BB 供應(yīng)商器件封裝:PG-TO263-5 標準包裝:1,000 BTS247ZE3043AKSA1 功能描述:MOSFET N-CH 55V 33A TO220-5 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:溫度保護 漏源極電壓(Vdss):55V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):33A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):18 毫歐 @ 12A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 90μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):90nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1730pF @ 25V 功率 - 最大值:120W 工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-5 供應(yīng)商器件封裝:P-TO220-5 標準包裝:500 BTS3050TFATMA1 BTS3060TFATMA1 BTS307 E3062A BTS307E3043 BTS307E3062ABUMA1 BTS308 E3059 BTS308 E3062A BTS3080EJXUMA1 BTS3080TFATMA1 BTS3104SDLATMA1 BTS3104SDRATMA1 BTS3110NHUMA1 BTS3110NNT BTS3118DATMA1 BTS3118NHUMA1 BTS3125EJXUMA1 BTS3125TFATMA1 BTS3134D
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