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BSS84V-7-01

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  • BSS84V-7-01
    BSS84V-7-01

    BSS84V-7-01

  • 科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
    科創(chuàng)特電子（香港）有限公司

    聯(lián)系人：柯

    電話：0755-83014603

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路3006號(hào)佳和大廈B座907

  • 3000

  • DIODES INC.

  • 主營(yíng)優(yōu)勢(shì)

  • 19+

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  • 制造商
  • Diodes Incorporated
  • 功能描述
BSS84V-7-01 技術(shù)參數(shù)
  • BSS84V-7 功能描述:MOSFET 2P-CH 50V 0.13A SOT-563 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:2 個(gè) P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:130mA 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:10 歐姆 @ 100mA，5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:45pF @ 25V 功率 - 最大值:150mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-563，SOT-666 供應(yīng)商器件封裝:SOT-563 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS84TC 功能描述:MOSFET P-CH 50V 0.13A SOT23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:130mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:10 歐姆 @ 100mA，5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:40pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 BSS84TA 功能描述:MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:130mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:10 歐姆 @ 100mA，5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:40pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS84PWH6327XTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 60V 150MA SOT-323 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:150mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:8 歐姆 @ 150mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 20μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:1.5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:19.1pF @ 25V 功率 - 最大值:300mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT323-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS84PW L6327 功能描述:MOSFET P-CH 60V 150MA SOT-323 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:150mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:8 歐姆 @ 150mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 20μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:1.5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:19.1pF @ 25V 功率 - 最大值:300mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT323-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BSS87L6327HTSA1 BS-SA7024 BST-108-08-G-D-230-RA BST110V BST-12/125-D12-C BST-12/125-D48-C BST-136-08-G-D-230-RA BST-136-08-L-D-230-RA BST-136-08-S-D-230-RA BST-136-08-T-D-230-RA BST15,115 BST-15/100-D48-C BST-15/85-D5-C BST15TA BST16,115 BST-169 BST16TA BST-225
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