BSPCF

配單專家企業(yè)名單

型號
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批號
價格
說明
操作

BSPCF
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
原裝正品質(zhì)量保障電話010-62104...

BSPCF
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
6000
MPD (Memory Protection De
標準封裝
16+
-
假一罰十，原裝正品

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1

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功能描述
SNAP 9V FEMALE PC MOUNT
RoHS
是
類別
電池產(chǎn)品 >> 電池座，夾，觸點
系列
-
標準包裝
100
系列
-
電池類型，功能
圓柱形，觸點（單）
樣式
觸點彈簧（線圈）
電池大小
多重
單元數(shù)
-
電池系列
-
安裝類型
自定義
端接類型
-
板上方高度
-
工作溫度
-
配用
P670-ND - BATTERY 1.5V ALKALINE AAA 4 PACKP671-ND - BATTERY 1.5V ALKALINE AA 4 PACKP672-ND - BATTERY 1.5V ALKALINE AAA 2 PACKP673-ND - BATTERY 1.5V ALKALINE AA 2 PACKP674-ND - BATTERY 1.5V ALKALINE AAAP675-ND - BATTERY 1.5V ALKALINE AATL-4903-ND - BATT LTH AA 3.6VLR03XWA/C-ND - BATT IND ALKALINE AAA SIZELR6XWA/C-ND - BATT IND ALKALINE AA SIZEP649-ND - BATTERY IND ALKALINE AAA更多...
其它名稱
211K

BSPCF 技術參數(shù)

BSP92PL6327HTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 250V 0.26A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:260mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:12 歐姆 @ 260mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 130μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:5.4nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:104pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1 BSP92PH6327XTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 250V 260MA 4SOT223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道技術:MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:260mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:12 歐姆 @ 260mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 130μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:5.4nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:104pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1 BSP92P E6327 功能描述:MOSFET P-CH 250V 0.26A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:260mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:12 歐姆 @ 260mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 130μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:5.4nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:104pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1,000 BSP89L6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 240V 350MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4.5V 驅(qū)動漏源極電壓（Vdss）:240V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:350mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6 歐姆 @ 350mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 108μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:6.4nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:140pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1 BSP89H6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 4SOT223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4.5V 驅(qū)動漏源極電壓（Vdss）:240V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:350mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6 歐姆 @ 350mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 108μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:6.4nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:140pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1 BSPD5BNCSI BSPD5DING BSPD5DINLHF BSPG1230WE BSPG1230WER BSPG1255NPE BSPG1255NPER BSPH2230WE BSPH2230WER BSPH2275TT BSPH2275TTR BSPH2600PV BSPH2600PVR BSPH2A150D150LV BSPH2A150D150LVR BSPH2A230D230LV BSPH2A230D230LVR BSPH2A24D24LV