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BSF035NE2LQXUMA1

配單專家企業(yè)名單

型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說明
操作

BSF035NE2LQXUMA1
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯(lián)系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會(huì)軒3607
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
9800
Infineon Technologies
MG-WDSON-2，CanPAK M?
19+
-
代理直銷！進(jìn)口原裝正品！

BSF035NE2LQXUMA1
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
INFINEON
原廠封裝
最新批號(hào)
-
一級(jí)代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨！

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功能描述
MOSFET N-CH 25V 22A 2WDSON
制造商
infineon technologies
系列
OptiMOS??
包裝
帶卷（TR）
零件狀態(tài)
有效
FET 類型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能
標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓（Vdss）
25V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
22A（Ta），69A（Tc）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
3.5 毫歐 @ 30A， 10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
2V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）
25nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）
1862pF @ 12V
功率 - 最大值
2.2W
工作溫度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
3-WDSON
供應(yīng)商器件封裝
MG-WDSON-2，CanPAK M?
標(biāo)準(zhǔn)包裝
5,000

BSF035NE2LQXUMA1 技術(shù)參數(shù)

BSF030NE2LQXUMA1 功能描述:MOSFET N-CH 25V 24A WDSON-2 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:24A（Ta），75A（Tc）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:23nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:1700pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.2W（Ta），28W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3 毫歐 @ 30A，10V 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:MG-WDSON-2，CanPAK M? 封裝/外殼:3-WDSON 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSF030NE2LQ 功能描述:MOSFET N-CH 25V 24A WDSON-2 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:24A（Ta），75A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:23nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1700pF @ 12V 功率 - 最大值:2.2W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-WDSON 供應(yīng)商器件封裝:MG-WDSON-2，CanPAK M? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSF024N03LT3GXUMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 106A 2WDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:15A（Ta），106A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.4 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:71nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:5500pF @ 15V 功率 - 最大值:2.2W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-WDSON 供應(yīng)商器件封裝:MG-WDSON-2，CanPAK M? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSF 功能描述:9V FEMALE SNAP 6-SIDED 制造商:mpd (memory protection devices) 系列:- 零件狀態(tài):有效電池類型，功能:9V，卡入式觸點(diǎn)（單）樣式:觸點(diǎn)，卡入式（正極）電池尺寸:9V 電池?cái)?shù):- 電池系列:- 安裝類型:自定義端子類型:- 板上高度:- 工作溫度:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 BSE-120-01-L-D-LC 功能描述:.8MM DOUBLE ROW SOCKET ASSEMBLY 制造商:samtec inc. 系列:BSE 包裝:托盤零件狀態(tài):在售連接器類型:插座，中央帶觸點(diǎn) 針腳數(shù):240 間距:0.031"（0.80mm）排數(shù):2 安裝類型:表面貼裝特性:板鎖觸頭鍍層:金觸頭鍍層厚度:10μin（0.25μm）接合堆疊高度:5mm，8mm 板上高度:0.128"（3.25mm）標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 BSG0810NDIATMA1 BSG0811NDATMA1 BSG0813NDIATMA1 BSH-020-01-C-D-A BSH-020-01-F-D BSH-020-01-F-D-A BSH-020-01-F-D-A-TR BSH-020-01-F-D-DP-A BSH-020-01-F-D-LC-TR BSH-020-01-H-D-A BSH-020-01-H-D-A-TR BSH-020-01-H-D-LC-TR BSH-020-01-L-D-A BSH-020-01-L-D-A-TR BSH-020-01-L-D-DP-A BSH-020-01-L-D-DP-A-TR BSH-020-01-L-D-EM2 BSH-030-01-C-D