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BSD816SN H6327

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  • BSD816SN H6327
    BSD816SN H6327

    BSD816SN H6327

  • 深圳市億聯芯電子科技有限公司
    深圳市億聯芯電子科技有限公司

    聯系人：吳經理

    電話：18138401919

    地址：深圳市福田區(qū)賽格科技園四棟中6樓6K31

  • 69880

  • TY/臺灣半導體

  • SOT363-6

  • 2021+

  • -

  • ★★正規(guī)渠道★原廠正品最新貨源現貨供應★...

  • BSD816SN H6327
    BSD816SN H6327

    BSD816SN H6327

  • 深圳市英科美電子有限公司
    深圳市英科美電子有限公司

    聯系人：張先生

    電話：0755-23903058

    地址：深圳市福田區(qū)振興路西101號華勻大廈1棟7F

  • 100810

  • Infineon

  • SOT-363

  • 22+

  • -

  • 每一片都來自原廠，正品保證

  • BSD816SN H6327
    BSD816SN H6327

    BSD816SN H6327

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • Infineon

  • SOT-363

  • 最新批號

  • -

  • 代理此型號.原裝正品現貨！

  • BSD816SN H6327
    BSD816SN H6327

    BSD816SN H6327

  • 深圳市軒盛達電子有限公司
    深圳市軒盛達電子有限公司

    聯系人：陳

    電話：1588932848313924772445

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道深南中路3006號佳和華強大廈五樓5C103

  • 10000

  • -

  • 原廠原裝現貨，代找緊缺料

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  • 1
BSD816SN H6327 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
BSD816SN H6327 技術參數
  • BSD340NH6327XTSA1 功能描述:SMALL SIGNAL+P-CH 制造商:infineon technologies 系列:* 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供應商器件封裝:PG-SOT363-6 標準包裝:3,000 BSD316SNL6327XT 功能描述:MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT-363 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4.5V 驅動 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:1.4A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:160 毫歐 @ 1.4A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 3.7μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.6nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:94pF @ 15V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供應商器件封裝:PG-SOT363-6 標準包裝:1 BSD316SNH6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT363 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4.5V 驅動 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:1.4A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:160 毫歐 @ 1.4A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 3.7μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.6nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:94pF @ 15V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供應商器件封裝:PG-SOT363-6 標準包裝:3,000 BSD314SPEL6327HTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT363 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4.5V 驅動 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:1.5A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:140 毫歐 @ 1.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 6.3μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:2.9nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:294pF @ 15V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供應商器件封裝:PG-SOT363-6 標準包裝:1 BSD314SPEH6327XTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT363 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4.5V 驅動 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:1.5A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:140 毫歐 @ 1.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 6.3μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:2.9nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:294pF @ 15V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應商器件封裝:PG-SOT363-6 標準包裝:3,000 BSE-020-01-F-D-A BSE-020-01-F-D-A-FL BSE-020-01-F-D-A-FL-TR BSE-020-01-F-D-A-K-TR BSE-020-01-F-D-A-TR BSE-020-01-F-D-EM2 BSE-020-01-F-D-EM2-GP BSE-020-01-H-D BSE-020-01-H-D-A BSE-020-01-H-D-A-TR BSE-020-01-H-D-EM2 BSE-020-01-L-D BSE-020-01-L-D-A BSE-020-01-L-D-A-FL BSE-020-01-L-D-A-FL-TR BSE-020-01-L-D-A-GP BSE-020-01-L-D-A-TR BSE-020-01-L-D-EM2
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