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BS108G
深圳市海天鴻電子科技有限公司
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聯(lián)系人：彭小姐、劉先生、李小姐
電話：0755-82552857-80913528851884（周日專線）
地址：深圳市福田區(qū)中航路中航北苑大廈A座22A3號(hào)
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
9100
On
TO92
1651+
-
只做原裝一手貨源，代理商分銷庫(kù)存

BS108G
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
5000
ON Semiconductor
全新原裝正品
07＋
-
假一罰十，百分百原裝正品

BS108G
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：史仙雁
電話：19129911934（手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào)）0755-82813018
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室
2100
ON
ROHS
13+
-
全新原裝現(xiàn)貨庫(kù)存！400-800-030...

BS108G
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：何芝
電話：19129491934(手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào))0755-82865099
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
6550
ON
ROHS
201311+
-
原裝正品，現(xiàn)貨庫(kù)存！400-800-03...

BS108G
深圳市時(shí)興宇電子有限公司
深圳市時(shí)興宇電子有限公司
聯(lián)系人：彭先生
電話：0755-830415598397218513430523058
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北都會(huì)大廈A座19樓19G
9885
TO92
14+
-
絕對(duì)公司原裝現(xiàn)貨

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功能描述
MOSFET 200V 250mA Logic Level N-Channel
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續(xù)電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風(fēng)格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

BS108G 技術(shù)參數(shù)

BS108/01,126 功能描述:MOSFET N-CH 200V 300MA SOT54 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:300mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5 歐姆 @ 100mA，2.8V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:120pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 BS108,126 功能描述:MOSFET N-CH 200V 300MA SOT54 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:300mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5 歐姆 @ 100mA，2.8V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:120pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 BS107PSTZ 功能描述:MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:120mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:30 歐姆 @ 100mA，5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:E-Line-3 供應(yīng)商器件封裝:E-Line（TO-92 兼容）標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 BS107PSTOB 功能描述:MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:120mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:30 歐姆 @ 100mA，5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:E-Line-3 供應(yīng)商器件封裝:E-Line（TO-92 兼容）標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 BS107PSTOA 功能描述:MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:120mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:30 歐姆 @ 100mA，5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:E-Line-3 供應(yīng)商器件封裝:E-Line（TO-92 兼容）標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 BS-125.000MCC-T BS12I BS12I-22 BS12I-HD-24AWG BS12I-MC BS12I-NICAD BS12T BS12T-HD BS12T-MC BS1301-7R BS14-C BS14-E BS14-L BS14-M BS14P-SHF-1AA(LF)(SN) BS-150.000MBC-T BS-150.000MCC-T BS1501-7R