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BFR 181 E6780

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  • BFR 181 E6780
    BFR 181 E6780

    BFR 181 E6780

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號(hào))

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • INFINEON

  • 原廠封裝

  • 最新批號(hào)

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  • BFR 181 E6780
    BFR 181 E6780

    BFR 181 E6780

  • 深圳市科宏特電子有限公司
    深圳市科宏特電子有限公司

    聯(lián)系人:李瑞兵

    電話:18897698645

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路華強(qiáng)電子世界三店佳和4C148

  • 36000000

  • Infineon

  • 22+

  • -
  • 原裝正品

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  • 1
BFR 181 E6780 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • 射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
  • RoHS
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 配置
  • Single
  • 晶體管極性
  • NPN
  • 最大工作頻率
  • 7000 MHz
  • 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
  • 15 V
  • 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO
  • 2 V
  • 集電極連續(xù)電流
  • 0.15 A
  • 功率耗散
  • 1000 mW
  • 直流集電極/Base Gain hfe Min
  • 最大工作溫度
  • + 150 C
  • 封裝 / 箱體
  • SOT-223
  • 封裝
  • Reel
BFR 181 E6780 技術(shù)參數(shù)
  • BFR 181 E6327 功能描述:RF Transistor NPN 12V 20mA 8GHz 175mW Surface Mount PG-SOT23-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):12V 頻率 - 躍遷:8GHz 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時(shí)的典型值):0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:18.5dB 功率 - 最大值:175mW 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):70 @ 5mA,8V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):20mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BFR 106 E6327 功能描述:RF Transistor NPN 15V 210mA 5GHz 700mW Surface Mount PG-SOT23-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):15V 頻率 - 躍遷:5GHz 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時(shí)的典型值):1.8dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8Ghz 增益:8.5dB ~ 13dB 功率 - 最大值:700mW 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):70 @ 70mA,8V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):210mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BFQ790H6327XTSA1 功能描述:RF BIP TRANSISTORS 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):6.1V 頻率 - 躍遷:1.85GHz 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時(shí)的典型值):2.6dB @ 1.8GHz 增益:17dB 功率 - 最大值:1.5W 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):60 @ 250mA,5V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):300mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:SOT-89 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BFQ67W,135 功能描述:RF Transistor NPN 10V 50mA 8GHz 300mW Surface Mount SOT-323 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過(guò)期 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):10V 頻率 - 躍遷:8GHz 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時(shí)的典型值):1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz 增益:- 功率 - 最大值:300mW 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):60 @ 15mA,5V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):50mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:SOT-323 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 BFQ67W,115 功能描述:TRANS NPN 10V 20MA 8GHZ SOT323 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過(guò)期 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):10V 頻率 - 躍遷:8GHz 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時(shí)的典型值):1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz 增益:- 功率 - 最大值:300mW 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):60 @ 15mA,5V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):50mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:SOT-323 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BFR 193 E6327 BFR 193L3 E6327 BFR 193W E6327 BFR 340T E6327 BFR 360F E6327 BFR 360F E6765 BFR 360L3 E6327 BFR 360L3 E6765 BFR 360T E6327 BFR 380F E6327 BFR 380T E6327 BFR 460L3 E6327 BFR 705L3RH E6327 BFR 740L3 E6327 BFR 740L3RH E6327 BFR 92P E6327 BFR 92W E6327 BFR 93A E6327
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