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BFP 740FESD E6327

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  • BFP 740FESD E6327
    BFP 740FESD E6327

    BFP 740FESD E6327

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • INFINEON

  • 原廠封裝

  • 最新批號(hào)

  • -

  • 一級(jí)代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨！

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共7條 
  • 1
BFP 740FESD E6327 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • 射頻硅鍺晶體管 RF BIP TRANSISTORS
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • Infineon Technologies
  • 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO
  • 集電極連續(xù)電流
  • 功率耗散
  • 安裝風(fēng)格
  • 封裝 / 箱體
  • 封裝
  • Reel
BFP 740FESD E6327 技術(shù)參數(shù)
  • BFP 740F E6327 功能描述:RF Transistor NPN 4.7V 30mA 42GHz 160mW Surface Mount 4-TSFP 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:4.7V 頻率 - 躍遷:42GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:0.5dB ~ 0.75dB @ 1.8GHz ~ 6GHz 增益:27.5dB 功率 - 最大值:160mW 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:4-TSFP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BFP 720FESD E6327 功能描述:RF Transistor NPN 4.7V 30mA 45GHz 100mW Surface Mount 4-TSFP 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:4.7V 頻率 - 躍遷:45GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:0.5dB ~ 1.3dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:10dB ~ 29dB 功率 - 最大值:100mW 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:160 @ 15mA，3V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:4-TSFP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BFP 720F E6327 功能描述:RF Transistor NPN 4.7V 25mA 45GHz 100mW Surface Mount 4-TSFP 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:4.7V 頻率 - 躍遷:45GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:0.4dB ~ 1dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:10.5dB ~ 28dB 功率 - 最大值:100mW 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:160 @ 13mA，3V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:25mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:4-TSFP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BFP 650F E6327 功能描述:RF Transistor NPN 4.5V 150mA 42GHz 500mW Surface Mount 4-TSFP 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:4.5V 頻率 - 躍遷:42GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz 增益:11dB ~ 21.5dB 功率 - 最大值:500mW 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:110 @ 80mA，3V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:150mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:4-TSFP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BFP 640FESD E6327 功能描述:RF Transistor NPN 4.7V 50mA 46GHz 200mW Surface Mount 4-TSFP 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:4.7V 頻率 - 躍遷:46GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:0.55dB ~ 1.7dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:8B ~ 30.5dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:110 @ 30mA，3V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:4-TSFP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BFP193WE6327HTSA1 BFP193WH6327XTSA1 BFP196E6327HTSA1 BFP196WE6327HTSA1 BFP196WH6327XTSA1 BFP196WNH6327XTSA1 BFP405E6327BTSA1 BFP405E6433HTMA1 BFP405E6740HTSA1 BFP405FH6327XTSA1 BFP405H6327XTSA1 BFP405H6740XTSA1 BFP410H6327XTSA1 BFP420E6327BTSA1 BFP420E6433HTMA1 BFP420FH6327XTSA1 BFP420H6327XTSA1 BFP420H6433XTMA1
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