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BF959ZL1G

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說明
  • 操作
  • BF959ZL1G
    BF959ZL1G

    BF959ZL1G

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • ON

  • 7+

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • BF959ZL1G
    BF959ZL1G

    BF959ZL1G

  • 深圳市一線半導(dǎo)體有限公司
    深圳市一線半導(dǎo)體有限公司

    聯(lián)系人:謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐

    電話:0755-88608801多線17727932378

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北華強(qiáng)花園B9F

  • 9600

  • TO-92 (TO-226) 5.33mm Bod

  • ON

  • 17+

  • -
  • 原裝正品。優(yōu)勢(shì)供應(yīng)

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共10條 
  • 1
BF959ZL1G PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • 兩極晶體管 - BJT 100mA 20V VHF NPN
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 配置
  • 晶體管極性
  • PNP
  • 集電極—基極電壓 VCBO
  • 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
  • - 40 V
  • 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO
  • - 6 V
  • 集電極—射極飽和電壓
  • 最大直流電集電極電流
  • 增益帶寬產(chǎn)品fT
  • 直流集電極/Base Gain hfe Min
  • 100 A
  • 最大工作溫度
  • 安裝風(fēng)格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • PowerFLAT 2 x 2
BF959ZL1G 技術(shù)參數(shù)
  • BF959ZL1 功能描述:RF Transistor NPN 20V 100mA 700MHz 625mW Through Hole TO-92-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):20V 頻率 - 躍遷:700MHz 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時(shí)的典型值):3dB @ 200MHz 增益:- 功率 - 最大值:625mW 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):40 @ 20mA,10V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線) 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 BF959-UV1/3 功能描述:CCFL, Ultraviolet (UV) Narrow Spectrum 375V Start, 150V Operating 5mA 0.15μW, cm2 @ 1" 9.0mm x 59mm 制造商:jkl components corp. 系列:- 零件狀態(tài):過期 大小/尺寸:9.0mm x 59mm 類型:CCFL - 紫外線(UV)窄頻譜 電壓:375V 啟動(dòng),150V 操作 電流:5mA 輸出:0.15μW,cm2 @ 1" 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 BF959RL1G 功能描述:RF Transistor NPN 20V 100mA 700MHz 625mW Through Hole TO-92-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):20V 頻率 - 躍遷:700MHz 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時(shí)的典型值):3dB @ 200MHz 增益:- 功率 - 最大值:625mW 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):40 @ 20mA,10V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線) 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 BF959RL1 功能描述:RF Transistor NPN 20V 100mA 700MHz 625mW Through Hole TO-92-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):20V 頻率 - 躍遷:700MHz 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時(shí)的典型值):3dB @ 200MHz 增益:- 功率 - 最大值:625mW 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):40 @ 20mA,10V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線) 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 BF959G 功能描述:RF Transistor NPN 20V 100mA 700MHz 625mW Through Hole TO-92-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):20V 頻率 - 躍遷:700MHz 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時(shí)的典型值):3dB @ 200MHz 增益:- 功率 - 最大值:625mW 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):40 @ 20mA,10V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體(!--TO-226AA) 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 BF998RE6327HTSA1 BF998WR,115 BF999E6327HTSA1 BF999E6433HTMA1 BFA.0B.160.LN BFA.0E.100.NAS BFA.1E.100.NAS BFA.1E.103.BAS BFA.1K.100.NAE BFA.2E.100.NAS BFA.2K.100.KZS BFA.2K.100.NAS BFA.2V.100.NAZ BFA.3E.100.NAS BFA.3K.100.NAS BFA.3K.170.800EN BFA.4E.100.NAS BFA.4S.100.NAS
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