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BDP950E6327HTSA1

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    BDP950E6327HTSA1

    BDP950E6327HTSA1

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

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  • INFINEON

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  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • Trans GP BJT PNP 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • AF TRANSISTORS - Tape and Reel
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • TRANSISTOR PNP AF 60V SOT-223
BDP950E6327HTSA1 技術參數
  • BDP949H6327XTSA1 功能描述:TRANS NPN 60V 3A SOT223 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):上次購買時間 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 200mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 500mA，1V 功率 - 最大值:5W 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1,000 BDP949E6327HTSA1 功能描述:TRANS NPN 60V 3A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 200mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 500mA，1V 功率 - 最大值:5W 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1 BDP948H6433XTMA1 功能描述:TRANS PNP 45V 3A SOT223 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):上次購買時間 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 200mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:85 @ 500mA，1V 功率 - 最大值:5W 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:4,000 BDP948H6327XTSA1 功能描述:TRANS PNP 45V 3A SOT223 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):上次購買時間 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 200mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:85 @ 500mA，1V 功率 - 最大值:5W 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1,000 BDP948E6433HTMA1 功能描述:TRANS PNP 45V 3A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 200mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:85 @ 500mA，1V 功率 - 最大值:5W 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:4,000 BDR-999G BDR-999R BDS130 BDS150 BDS210 BDS220 BDS240 BDS250 BDS265 BDS280 BDS28045 BDS290 BDS2A100100KJ BDS2A100100RJ BDS2A100100RK BDS2A10010KK BDS2A10010RK BDS2A100150RK
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