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BD242B-S

配單專家企業(yè)名單
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BD242B-S PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • 兩極晶體管 - BJT 80V 3A PNP
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 配置
  • 晶體管極性
  • PNP
  • 集電極—基極電壓 VCBO
  • 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
  • - 40 V
  • 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO
  • - 6 V
  • 集電極—射極飽和電壓
  • 最大直流電集電極電流
  • 增益帶寬產品fT
  • 直流集電極/Base Gain hfe Min
  • 100 A
  • 最大工作溫度
  • 安裝風格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • PowerFLAT 2 x 2
BD242B-S 技術參數
  • BD242BG 功能描述:TRANS PNP 80V 3A TO220AB 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):3A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1.2V @ 600mA,3A 電流 - 集電極截止(最大值):300μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):25 @ 1A,4V 功率 - 最大值:40W 頻率 - 躍遷:3MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 BD242B 功能描述:TRANS PNP 80V 3A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):3A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1.2V @ 600mA,3A 電流 - 集電極截止(最大值):300μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):25 @ 1A,4V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 BD242ATU 功能描述:TRANS PNP 60V 3A TO-220 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):3A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1.2V @ 600mA,3A 電流 - 集電極截止(最大值):300μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):25 @ 1A,4V 功率 - 最大值:40W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:50 BD242A-S 功能描述:TRANS PNP 60V 3A 制造商:bourns inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):3A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1.2V @ 600mA,3A 電流 - 集電極截止(最大值):300μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):25 @ 1A,4V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:15,000 BD2425P5075AHF 功能描述:RF Balun 2.4GHz ~ 2.5GHz 50 / 75 Ohm 0404 (1010 Metric) 制造商:anaren 系列:Xinger? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 頻率范圍:2.4GHz ~ 2.5GHz 阻抗 - 非平衡/平衡:50 / 75 歐姆 相位差:7° 插入損耗(最大值):0.8dB 回波損耗(最小值):-15dB 封裝/外殼:0404(1010 公制) 安裝類型:表面貼裝 標準包裝:4,000 BD243B BD243B-S BD243BTU BD243C BD243CG BD243C-S BD243CTU BD243-S BD243TU BD244A BD244A-S BD244ATU BD244B BD244BG BD244B-S BD244BTU BD244C BD244CG
配單專家

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