BCR10001FMAHWS

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型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說(shuō)明
操作

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功能描述
RES 10K OHM 1/4W 1% BACK-C CHIP
RoHS
是
類別
電阻器 >> 芯片電阻 - 表面安裝
系列
BCR
RoHS指令信息
3-1879507-7 Statement of Compliance
標(biāo)準(zhǔn)包裝
20,000
系列
CRGH, Neohm
電阻（歐姆）
316k
功率（瓦特）
0.2W，1/5W
復(fù)合體
厚膜
特點(diǎn)
-
溫度系數(shù)
±100ppm/°C
容差
±1%
封裝/外殼
0603（1608 公制）
尺寸/尺寸
0.063" L x 0.031" W（1.60mm x 0.80mm）
高度
-
端子數(shù)
2
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
CRGH0603F316K

BCR10001FMAHWS 技術(shù)參數(shù)

BCR08PNH6727XTSA1 功能描述:TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):上次購(gòu)買時(shí)間晶體管類型:1 個(gè) NPN，1 個(gè) PNP - 預(yù)偏壓式（雙）電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:2.2k 電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）（歐姆）:47k 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:- 頻率 - 躍遷:170MHz 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT363-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BCR08PNH6433XTMA1 功能描述:TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):上次購(gòu)買時(shí)間晶體管類型:1 個(gè) NPN，1 個(gè) PNP - 預(yù)偏壓式（雙）電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:2.2k 電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）（歐姆）:47k 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:- 頻率 - 躍遷:170MHz 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT363-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 BCR08PNH6327XTSA1 功能描述:TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):上次購(gòu)買時(shí)間晶體管類型:1 個(gè) NPN，1 個(gè) PNP - 預(yù)偏壓式（雙）電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:2.2k 電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）（歐姆）:47k 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:- 頻率 - 躍遷:170MHz 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT363-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BCR08PNE6433HTMA1 功能描述:TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過(guò)期晶體管類型:1 個(gè) NPN，1 個(gè) PNP - 預(yù)偏壓式（雙）電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:2.2k 電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）（歐姆）:47k 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:- 頻率 - 躍遷:170MHz 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT363-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 BCR08PNE6327BTSA1 功能描述:TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過(guò)期晶體管類型:1 個(gè) NPN，1 個(gè) PNP - 預(yù)偏壓式（雙）電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:2.2k 電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）（歐姆）:47k 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:- 頻率 - 躍遷:170MHz 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT363-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BCR108WE6327BTSA1 BCR108WH6327XTSA1 BCR108WH6433XTMA1 BCR10CM-12LB#BB0 BCR10CM-16LH#BB0 BCR10CS-12LBT1#BH0 BCR10CS12LBT11#B00 BCR10FM-12LB#BB0 BCR10FM-14LJ#BB0 BCR10LM-16LH-1#B00 BCR10PNB6327XT BCR10PNE6327BTSA1 BCR10PNH6327XTSA1 BCR10PNH6727XTSA1 BCR10PNH6730XTMA1 BCR112E6327HTSA1 BCR112WE6327BTSA1 BCR112WH6327XTSA1