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BC639,126

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  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
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  • 價(jià)格
  • 說明
  • 操作
  • BC639,126
    BC639,126

    BC639,126

  • 北京首天偉業(yè)科技有限公司
    北京首天偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址: 廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道電子科技大廈C座23E

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 10000

  • NXP

  • 原廠封裝

  • 15+

  • -
  • 原裝正品,假一罰十

  • BC639,126
    BC639,126

    BC639,126

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 4000

  • PHILIPS

  • 標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • 09/10+

  • -
  • 全新原裝100%正品保證質(zhì)量

  • BC639,126
    BC639,126

    BC639,126

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 4000

  • PHILIPS

  • 標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • 09/10+

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BC639,126 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • 兩極晶體管 - BJT TRANS GP AMMO WIDE PITCH
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 配置
  • 晶體管極性
  • PNP
  • 集電極—基極電壓 VCBO
  • 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
  • - 40 V
  • 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO
  • - 6 V
  • 集電極—射極飽和電壓
  • 最大直流電集電極電流
  • 增益帶寬產(chǎn)品fT
  • 直流集電極/Base Gain hfe Min
  • 100 A
  • 最大工作溫度
  • 安裝風(fēng)格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • PowerFLAT 2 x 2
BC639,126 技術(shù)參數(shù)
  • BC639,116 功能描述:TRANS NPN 80V 1A TO-92 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 50mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):63 @ 150mA,2V 功率 - 最大值:830mW 頻率 - 躍遷:180MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線) 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 BC639,112 功能描述:TRANS NPN 80V 1A TO-92 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 50mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):63 @ 150mA,2V 功率 - 最大值:830mW 頻率 - 躍遷:180MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體(!--TO-226AA) 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 BC639 功能描述:TRANS NPN 80V 1A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 50mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):40 @ 150mA,2V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體(!--TO-226AA) 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 BC638ZL1G 功能描述:TRANS PNP 60V 0.5A TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):500mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 50mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):40 @ 150mA,2V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:150MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線) 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 BC638ZL1 功能描述:TRANS PNP 60V 0.5A TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):500mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 50mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):40 @ 150mA,2V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:150MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線) 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 BC63916_D27Z BC63916_D74Z BC63916_J35Z BC63916-D27Z BC63916-D74Z BC639-16ZL1 BC639-16ZL1G BC639G BC639RL1 BC639RL1G BC639ZL1 BC639ZL1G BC63B239A04-AQK-E4 BC63B239A04-IQD-E4 BC63B239A04-IUE-E4 BC63B239A04-IYB-E4 BC63B239A05-AQK-E4 BC63C159A03-GIVA-E4
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