B82498F3331G

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說明
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B82498F3331G
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
5000
EPCOS (TDK)
標準封裝
16+
-
假一罰十，百分百原裝正品

B82498F3331G000
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
8650000
EPCOS
SMD
最新批號
-
代理此型號.原裝正品現(xiàn)貨!

B82498F3331G000
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
聯(lián)系人：陳小姐
電話：13428937514
地址：門市: 新華強廣場2樓公司: 深圳市福田區(qū)華強北路賽格廣場58樓5813室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
3000
EPCOS
13+
-
公司現(xiàn)貨!只做原裝!

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制造商
TDK Epcos
功能描述
I CORE CHOKE 0805 330NH 2A 2% - Tape and Reel
制造商
TDK Epcos
功能描述
SMT-INDUCTOR 0805 330 NH 2%

B82498F3331G 技術(shù)參數(shù)

B82498F3330J11 功能描述:33nH Unshielded Wirewound Inductor 600mA 110 mOhm Max 2-SMD 制造商:epcos (tdk) 系列:SIMID 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效類型:繞線材料 - 磁芯:陶瓷電感:33nH 容差:±5% 額定電流:600mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:110 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:65 @ 500MHz 頻率 - 自諧振:2.2GHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:250MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:2-SMD 大小/尺寸:0.091" 長 x 0.067" 寬（2.30mm x 1.70mm）高度 - 安裝（最大值）:0.055"（1.40mm）標準包裝:6,000 B82498F3330J1 功能描述:33nH Unshielded Wirewound Inductor 600mA 110 mOhm Max 2-SMD 制造商:epcos (tdk) 系列:SIMID 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效類型:繞線材料 - 磁芯:陶瓷電感:33nH 容差:±5% 額定電流:600mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:110 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:65 @ 500MHz 頻率 - 自諧振:2.2GHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:250MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:2-SMD 大小/尺寸:0.091" 長 x 0.067" 寬（2.30mm x 1.70mm）高度 - 安裝（最大值）:0.055"（1.40mm）標準包裝:6,000 B82498F3330J001 功能描述:FIXED IND 33NH 600MA 110 MOHM 制造商:epcos (tdk) 系列:SIMID 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):在售類型:繞線材料 - 磁芯:陶瓷電感:33nH 容差:±5% 額定電流:600mA 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:110 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:65 @ 500MHz 頻率 - 自諧振:2.2GHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:250MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.091" 長 x 0.067" 寬（2.30mm x 1.70mm）高度 - 安裝（最大值）:0.055"（1.40mm）標準包裝:6,000 B82498F3330J 功能描述:33nH Unshielded Wirewound Inductor 600mA 110 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:epcos (tdk) 系列:SIMID 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:繞線材料 - 磁芯:陶瓷電感:33nH 容差:±5% 額定電流:600mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:110 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:65 @ 500MHz 頻率 - 自諧振:2.2GHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:250MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:0805（2012 公制）大小/尺寸:0.091" 長 x 0.067" 寬（2.30mm x 1.70mm）高度 - 安裝（最大值）:0.055"（1.40mm）標準包裝:1 B82498F3330G1 功能描述:33nH Unshielded Wirewound Inductor 600mA 110 mOhm Max 2-SMD 制造商:epcos (tdk) 系列:SIMID 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效類型:繞線材料 - 磁芯:陶瓷電感:33nH 容差:±2% 額定電流:600mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:110 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:65 @ 500MHz 頻率 - 自諧振:2.2GHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:250MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:2-SMD 大小/尺寸:0.091" 長 x 0.067" 寬（2.30mm x 1.70mm）高度 - 安裝（最大值）:0.055"（1.40mm）標準包裝:6,000 B82498F3390G000 B82498F3390G001 B82498F3390G1 B82498F3390J B82498F3390J001 B82498F3390J1 B82498F3391G B82498F3391G000 B82498F3391G001 B82498F3391G1 B82498F3391J B82498F3391J000 B82498F3391J1 B82498F3470G B82498F3470G000 B82498F3470G001 B82498F3470G1 B82498F3470J