B82477R4362M100

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說明
操作

B82477R4362M100
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
5000
EPCOS (TDK)
標準封裝
16+
-
假一罰十，百分百原裝正品

B82477R4362M100
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
聯(lián)系人：陳小姐
電話：13428937514
地址：門市: 新華強廣場2樓公司: 深圳市福田區(qū)華強北路賽格廣場58樓5813室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
348
EPCOS
-
公司現(xiàn)貨!只做原裝!

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功能描述
INDUCTOR POWER 3.6UH 8.05A SMD
RoHS
是
類別
電感器，線圈，扼流圈 >> 固定式
系列
B82477R4
標準包裝
500
系列
1331
電感
1.2µH
電流
247mA
電流 - 飽和
247mA
電流 - 溫升
-
類型
鐵芯體
容差
±10%
屏蔽
屏蔽
DC 電阻(DCR)
最大 730 毫歐
Q因子@頻率
40 @ 7.9MHz
頻率 - 自諧振
130MHz
材料 - 芯體
鐵
封裝/外殼
0.312" L x 0.115" W x 0.135" H（7.94mm x 2.92mm x 3.43mm）
安裝類型
表面貼裝
包裝
帶卷 (TR)
工作溫度
-55°C ~ 105°C
頻率 - 測試
7.9MHz

B82477R4362M100 技術(shù)參數(shù)

B82477R4334M100 功能描述:330μH Shielded Wirewound Inductor 1.18A 425 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82477R4 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:330μH 容差:±20% 額定電流:1.18A 電流 - 飽和值:1.7A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:425 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.492" 長 x 0.492" 寬（12.50mm x 12.50mm）高度 - 安裝（最大值）:0.335"（8.50mm）標準包裝:1 B82477R4333M100 功能描述:33μH Shielded Wirewound Inductor 3.55A 50 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82477R4 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:33μH 容差:±20% 額定電流:3.55A 電流 - 飽和值:5.2A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:50 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.492" 長 x 0.492" 寬（12.50mm x 12.50mm）高度 - 安裝（最大值）:0.335"（8.50mm）標準包裝:1 B82477R4302M100 功能描述:3μH Shielded Wirewound Inductor 8.7A 9 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82477R4 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:3μH 容差:±20% 額定電流:8.7A 電流 - 飽和值:15.5A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:9 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.492" 長 x 0.492" 寬（12.50mm x 12.50mm）高度 - 安裝（最大值）:0.335"（8.50mm）標準包裝:350 B82477R4224M100 功能描述:220μH Shielded Wirewound Inductor 1.45A 290 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82477R4 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:220μH 容差:±20% 額定電流:1.45A 電流 - 飽和值:2A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:290 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.492" 長 x 0.492" 寬（12.50mm x 12.50mm）高度 - 安裝（最大值）:0.335"（8.50mm）標準包裝:1 B82477R4223M100 功能描述:22μH Shielded Wirewound Inductor 4.45A 32 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82477R4 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:22μH 容差:±20% 額定電流:4.45A 電流 - 飽和值:6.1A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:32 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.492" 長 x 0.492" 寬（12.50mm x 12.50mm）高度 - 安裝（最大值）:0.335"（8.50mm）標準包裝:1 B82479A1103M B82479A1104M B82479A1105M B82479A1153M B82479A1153M000 B82479A1154M B82479A1154M000 B82479A1222M B82479A1222M000 B82479A1223M B82479A1223M000 B82479A1224M B82479A1332M B82479A1332M000 B82479A1333M B82479A1334M B82479A1473M B82479A1474M