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B82464Z4332M

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  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
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  • B82464Z4332M
    B82464Z4332M

    B82464Z4332M

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • EPCOS (TDK)

  • 標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • 16+

  • -

  • 假一罰十，百分百正品

  • B82464Z4332M
    B82464Z4332M

    B82464Z4332M

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 8650000

  • EPCOS

  • SMD

  • 最新批號(hào)

  • -

  • 一級(jí)代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨！

  • B82464Z4332M
    B82464Z4332M

    B82464Z4332M

  • 深圳市大源實(shí)業(yè)科技有限公司
    深圳市大源實(shí)業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：李女士

    電話：1530261991513762584085

    地址：深圳市龍崗區(qū)五和大道山海商業(yè)廣場(chǎng)C座707室

  • 7600

  • EPCOS

  • SMD

  • 22+

  • -

  • 公司原裝現(xiàn)貨，可訂貨，有單來(lái)談QQ:16...

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共10條 
  • 1
B82464Z4332M PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • 固定電感器 SMT-INDUCTOR 10X10 3.3UH 5.5A
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • AVX
  • 電感
  • 10 uH
  • 容差
  • 20 %
  • 最大直流電流
  • 1 A
  • 最大直流電阻
  • 0.075 Ohms
  • 工作溫度范圍
  • - 40 C to + 85 C
  • 自諧振頻率
  • 38 MHz
  • Q 最小值
  • 40
  • 尺寸
  • 4.45 mm W x 6.6 mm L x 2.92 mm H
  • 屏蔽
  • Shielded
  • 端接類型
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • 6.6 mm x 4.45 mm
B82464Z4332M 技術(shù)參數(shù)
  • B82464Z4224M 功能描述:220μH Shielded Wirewound Inductor 700mA 440 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82464Z4 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:220μH 容差:±20% 額定電流:700mA 電流 - 飽和值:750mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:440 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級(jí):- 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測(cè)試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.409" 長(zhǎng) x 0.409" 寬（10.40mm x 10.40mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.189"（4.80mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 B82464Z4223M 功能描述:22μH Shielded Wirewound Inductor 2.25A 52 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82464Z4 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:22μH 容差:±20% 額定電流:2.25A 電流 - 飽和值:2.5A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:52 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級(jí):- 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測(cè)試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.409" 長(zhǎng) x 0.409" 寬（10.40mm x 10.40mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.189"（4.80mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 B82464Z4222M 功能描述:2.2μH Shielded Wirewound Inductor 6.5A 10 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82464Z4 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:2.2μH 容差:±20% 額定電流:6.5A 電流 - 飽和值:7A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:10 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級(jí):- 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測(cè)試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.409" 長(zhǎng) x 0.409" 寬（10.40mm x 10.40mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.189"（4.80mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 B82464Z4154M 功能描述:150μH Shielded Wirewound Inductor 850mA 320 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82464Z4 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:150μH 容差:±20% 額定電流:850mA 電流 - 飽和值:900mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:320 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級(jí):- 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測(cè)試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.409" 長(zhǎng) x 0.409" 寬（10.40mm x 10.40mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.189"（4.80mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 B82464Z4153M 功能描述:15μH Shielded Wirewound Inductor 2.75A 40 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82464Z4 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:15μH 容差:±20% 額定電流:2.75A 電流 - 飽和值:3.1A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:40 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級(jí):- 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測(cè)試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.409" 長(zhǎng) x 0.409" 寬（10.40mm x 10.40mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.189"（4.80mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 B82466G103M B82466G152M B82466G153M B82466G222M B82466G223M B82466G272M B82466G332M B82466G472M B82466G561M B82466G682M B82467G102M B82467G103M B82467G152M B82467G153M B82467G222M B82467G223M B82467G332M B82467G472M
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