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B82462G2682M

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • B82462G2682M
    B82462G2682M

    B82462G2682M

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • EPCOS (TDK)

  • 標準封裝

  • 16+

  • -
  • 假一罰十,百分百正品

  • B82462G2682M000
    B82462G2682M000

    B82462G2682M000

  • 深圳市亞泰盈科電子有限公司
    深圳市亞泰盈科電子有限公司

    聯(lián)系人:鄭小姐

    電話:15338868823

    地址:公司地址:★★深圳市福田區(qū)佳和大廈B座1410-1411

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 20356

  • EPCOS/愛普科斯

  • SMD

  • 2022+

  • -
  • 全新原裝現(xiàn)貨 支持BOM表配單

  • 1/1頁 40條/頁 共11條 
  • 1
B82462G2682M PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • 固定電感器 SMT-INDUCTOR 6X6(low) 6.8 UH
  • RoHS
  • 制造商
  • AVX
  • 電感
  • 10 uH
  • 容差
  • 20 %
  • 最大直流電流
  • 1 A
  • 最大直流電阻
  • 0.075 Ohms
  • 工作溫度范圍
  • - 40 C to + 85 C
  • 自諧振頻率
  • 38 MHz
  • Q 最小值
  • 40
  • 尺寸
  • 4.45 mm W x 6.6 mm L x 2.92 mm H
  • 屏蔽
  • Shielded
  • 端接類型
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • 6.6 mm x 4.45 mm
B82462G2682M 技術(shù)參數(shù)
  • B82462G2473M 功能描述:47μH Shielded Wirewound Inductor 620mA 420 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82462G2 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:47μH 容差:±20% 額定電流:620mA 電流 - 飽和值:560mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):420 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:100kHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.248" 長 x 0.248" 寬(6.30mm x 6.30mm) 高度 - 安裝(最大值):0.098"(2.50mm) 標準包裝:1 B82462G2472M 功能描述:4.7μH Shielded Wirewound Inductor 1.6A 61 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82462G2 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:4.7μH 容差:±20% 額定電流:1.6A 電流 - 飽和值:1.8A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):61 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:100kHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.248" 長 x 0.248" 寬(6.30mm x 6.30mm) 高度 - 安裝(最大值):0.098"(2.50mm) 標準包裝:1 B82462G2334M 功能描述:330μH Shielded Wirewound Inductor 220mA 3.25 Ohm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82462G2 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:330μH 容差:±20% 額定電流:220mA 電流 - 飽和值:200mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):3.25 歐姆最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:100kHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.248" 長 x 0.248" 寬(6.30mm x 6.30mm) 高度 - 安裝(最大值):0.098"(2.50mm) 標準包裝:1 B82462G2332M 功能描述:3.3μH Shielded Wirewound Inductor 2A 40 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82462G2 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:3.3μH 容差:±20% 額定電流:2A 電流 - 飽和值:2.05A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):40 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:100kHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.248" 長 x 0.248" 寬(6.30mm x 6.30mm) 高度 - 安裝(最大值):0.098"(2.50mm) 標準包裝:1 B82462G2223M 功能描述:22μH Shielded Wirewound Inductor 830mA 245 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82462G2 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:22μH 容差:±20% 額定電流:830mA 電流 - 飽和值:830mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):245 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:100kHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.248" 長 x 0.248" 寬(6.30mm x 6.30mm) 高度 - 安裝(最大值):0.098"(2.50mm) 標準包裝:1 B82462G4222M B82462G4223M B82462G4224M B82462G4332M B82462G4333M B82462G4334M B82462G4472M B82462G4473M B82462G4474M B82462G4682M B82462G4683M B82462G4684M B82462G4684M000 B82462X0004 B82462X00040000 B82462X004 B82462X4 B82464A2102M
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