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B82432T1123K

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  • B82432T1123K
    B82432T1123K

    B82432T1123K

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • EPCOS (TDK)

  • 標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • 16+

  • -

  • 假一罰十，百分百原裝正品

  • B82432T1123K000
    B82432T1123K000

    B82432T1123K000

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 8650000

  • EPCOS

  • SMD

  • 最新批號(hào)

  • -

  • 代理此型號(hào).原裝正品現(xiàn)貨!

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  • 1
B82432T1123K PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 制造商
  • TDK Epcos
  • 功能描述
  • 制造商
  • TDK Epcos
  • 功能描述
  • SMT-INDUCTOR 1812 12 UH 10% - Tape and Reel
  • 制造商
  • TDK Epcos
  • 功能描述
  • SMT-INDUCTOR 1812 12UH 10%
B82432T1123K 技術(shù)參數(shù)
  • B82432T1122K000 功能描述:FIXED IND 1.2UH 1.2A 100 MOHM 制造商:epcos (tdk) 系列:SIMID 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:1.2μH 容差:±10% 額定電流:1.2A 屏蔽:無(wú)屏蔽 DC 電阻（DCR）:100 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:10 @ 7.96MHz 頻率 - 自諧振:100MHz 等級(jí):AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測(cè)試:7.96MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:2-SMD 供應(yīng)商器件封裝:1812（4532 公制） 大小/尺寸:0.177" 長(zhǎng) x 0.126" 寬（4.50mm x 3.20mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.134"（3.40mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 B82432T1122K 功能描述:1.2μH Unshielded Wirewound Inductor 1.2A 100 mOhm Max 2-SMD 制造商:epcos (tdk) 系列:SIMID 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:1.2μH 容差:±10% 額定電流:1.2A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無(wú)屏蔽 DC 電阻（DCR）:100 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:10 @ 7.96MHz 頻率 - 自諧振:100MHz 等級(jí):AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測(cè)試:7.96MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:2-SMD 大小/尺寸:0.177" 長(zhǎng) x 0.126" 寬（4.50mm x 3.20mm） 高度 - 安裝（最大值）:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 B82432T1105K 功能描述:1mH Unshielded Wirewound Inductor 70mA 30 Ohm Max 1812 (4532 Metric) 制造商:epcos (tdk) 系列:SIMID 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:1mH 容差:±10% 額定電流:70mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無(wú)屏蔽 DC 電阻（DCR）:30 歐姆最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:20 @ 252kHz 頻率 - 自諧振:2.3MHz 等級(jí):AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測(cè)試:252kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1812（4532 公制） 大小/尺寸:0.177" 長(zhǎng) x 0.126" 寬（4.50mm x 3.20mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.134"（3.40mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 B82432T1104K 功能描述:100μH Unshielded Wirewound Inductor 200mA 3.5 Ohm Max 1812 (4532 Metric) 制造商:epcos (tdk) 系列:SIMID 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:100μH 容差:±10% 額定電流:200mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無(wú)屏蔽 DC 電阻（DCR）:3.5 歐姆最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:20 @ 796kHz 頻率 - 自諧振:6.5MHz 等級(jí):AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測(cè)試:796kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1812（4532 公制） 大小/尺寸:0.177" 長(zhǎng) x 0.126" 寬（4.50mm x 3.20mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.134"（3.40mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 B82432T1103K 功能描述:10μH Unshielded Wirewound Inductor 650mA 350 mOhm Max 1812 (4532 Metric) 制造商:epcos (tdk) 系列:SIMID 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:10μH 容差:±10% 額定電流:650mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無(wú)屏蔽 DC 電阻（DCR）:350 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:10 @ 2.52MHz 頻率 - 自諧振:25MHz 等級(jí):AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測(cè)試:2.52MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1812（4532 公制） 大小/尺寸:0.177" 長(zhǎng) x 0.126" 寬（4.50mm x 3.20mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.134"（3.40mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 B82432T1184K000 B82432T1222K B82432T1223K B82432T1224K B82432T1272K B82432T1272K000 B82432T1273K B82432T1273K000 B82432T1274K B82432T1332K B82432T1333K B82432T1334K B82432T1392K B82432T1393K B82432T1394K B82432T1394K000 B82432T1472K B82432T1473K
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