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B82422T1152K8

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  • B82422T1152K8
    B82422T1152K8

    B82422T1152K8

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • EPCOS (TDK)

  • 標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • 16+

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • 1/1頁 40條/頁 共5條 
  • 1
B82422T1152K8 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 制造商
  • TDK-EPC
  • 功能描述
  • Ind General Purpose Chip Molded Wirewound 1.5uH 10% 7.96MHz 30Q-Factor Ferrite 370mA 1210 Blister T/R
  • 制造商
  • TDK-EPC
  • 功能描述
  • SMT-INDUCTOR 1210 1.5UH 10%
B82422T1152K8 技術(shù)參數(shù)
  • B82422T1152K008 功能描述:FIXED IND 1.5UH 370MA 700 MOHM 制造商:epcos (tdk) 系列:SIMID 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):在售 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:1.5μH 容差:±10% 額定電流:370mA 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻(DCR):700 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:30 @ 7.96MHz 頻率 - 自諧振:200MHz 等級(jí):AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:7.96MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:2-SMD,J 形引線 供應(yīng)商器件封裝:- 大小/尺寸:0.126" 長 x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm) 高度 - 安裝(最大值):0.083"(2.10mm) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:8,000 B82422T1152K 功能描述:1.5μH Unshielded Wirewound Inductor 370mA 700 mOhm Max 1210 (3225 Metric) 制造商:epcos (tdk) 系列:SIMID 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:1.5μH 容差:±10% 額定電流:370mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻(DCR):700 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:30 @ 7.96MHz 頻率 - 自諧振:200MHz 等級(jí):AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:7.96MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1210(3225 公制) 大小/尺寸:0.126" 長 x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm) 高度 - 安裝(最大值):0.079"(2.00mm) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 B82422T1152J000 功能描述:FIXED IND 1.5UH 370MA 700 MOHM 制造商:epcos (tdk) 系列:SIMID 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):在售 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:1.5μH 容差:±5% 額定電流:370mA 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻(DCR):700 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:30 @ 7.96MHz 頻率 - 自諧振:200MHz 等級(jí):AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:7.96MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:2-SMD,J 形引線 供應(yīng)商器件封裝:- 大小/尺寸:0.126" 長 x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm) 高度 - 安裝(最大值):0.083"(2.10mm) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:6,000 B82422T1152J 功能描述:1.5μH Unshielded Wirewound Inductor 370mA 700 mOhm Max 2-SMD 制造商:epcos (tdk) 系列:SIMID 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:1.5μH 容差:±5% 額定電流:370mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻(DCR):700 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:30 @ 7.96MHz 頻率 - 自諧振:200MHz 等級(jí):AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:7.96MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:2-SMD 大小/尺寸:0.126" 長 x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm) 高度 - 安裝(最大值):* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:6,000 B82422T1151K8 功能描述:150nH Unshielded Wirewound Inductor 450mA 180 mOhm 2-SMD 制造商:epcos (tdk) 系列:SIMID 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:150nH 容差:±10% 額定電流:450mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻(DCR):180 毫歐 不同頻率時(shí)的 Q 值:30 @ 7.96MHz 頻率 - 自諧振:700MHz 等級(jí):AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:7.96MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:2-SMD 大小/尺寸:0.126" 長 x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm) 高度 - 安裝(最大值):* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:8,000 B82422T1154K008 B82422T1154K8 B82422T1181J B82422T1181J000 B82422T1181J008 B82422T1181J8 B82422T1181K B82422T1181K000 B82422T1181K008 B82422T1181K8 B82422T1182J B82422T1182J000 B82422T1182K B82422T1182K000 B82422T1183J B82422T1183J000 B82422T1183K B82422T1183K000
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