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B82422H1103J

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  • B82422H1103J
    B82422H1103J

    B82422H1103J

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • EPCOS (TDK)

  • 標準封裝

  • 16+

  • -

  • 假一罰十，百分百原裝正品

  • B82422H1103J
    B82422H1103J

    B82422H1103J

  • 深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
    深圳市鴻昌盛電子科技有限公司

    聯(lián)系人：陳小姐

    電話：13428937514

    地址：門市: 新華強廣場2樓公司: 深圳市福田區(qū)華強北路賽格廣場58樓5813室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 1699

  • EPCOS

  • -

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  • 制造商
  • TDK-EPC
  • 功能描述
  • Inductor;SMT 1210-H 10 uH 5%
  • 制造商
  • TDK-EPC
  • 功能描述
  • Ind Power Chip Molded Wirewound 10uH 5% 2.52MHz 12Q-Factor Ferrite 500mA 1210 Blister T/R
  • 制造商
  • TDK-EPC
  • 功能描述
  • SMT-INDUCTOR 1210-H 10 UH 5% - Tape and Reel
  • 制造商
  • TDK-EPC
  • 功能描述
  • SMT-INDUCTOR 1210-H 10UH 5%
B82422H1103J 技術參數(shù)
  • B82422H1102K100 功能描述:1μH Unshielded Wirewound Inductor 650mA 220 mOhm Max 1210 (3225 Metric) 制造商:epcos (tdk) 系列:SIMID 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:1μH 容差:±10% 額定電流:650mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:220 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:10 @ 2.52MHz 頻率 - 自諧振:200MHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:7.96MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1210（3225 公制） 大小/尺寸:0.126" 長 x 0.098" 寬（3.20mm x 2.50mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.083"（2.10mm） 標準包裝:1 B82422H1102K 功能描述:1μH Unshielded Wirewound Inductor 1.15A 100 mOhm Max 1210 (3225 Metric) 制造商:epcos (tdk) 系列:SIMID 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:1μH 容差:±10% 額定電流:1.15A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:100 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:10 @ 2.52MHz 頻率 - 自諧振:150MHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:7.96MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1210（3225 公制） 大小/尺寸:0.126" 長 x 0.098" 寬（3.20mm x 2.50mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.083"（2.10mm） 標準包裝:1 B82422A3829K100 功能描述:8.2nH Unshielded Wirewound Inductor 800mA 80 mOhm Max 1210 (3225 Metric) 制造商:epcos (tdk) 系列:SIMID 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產 類型:繞線 材料 - 磁芯:陶瓷 電感:8.2nH 容差:±10% 額定電流:800mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:80 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:20 @ 100MHz 頻率 - 自諧振:4GHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:10MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1210（3225 公制） 大小/尺寸:0.126" 長 x 0.098" 寬（3.20mm x 2.50mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.083"（2.10mm） 標準包裝:1 B82422A3829J100 功能描述:8.2nH Unshielded Wirewound Inductor 800mA 80 mOhm Max 2-SMD 制造商:epcos (tdk) 系列:SIMID 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:陶瓷 電感:8.2nH 容差:±5% 額定電流:800mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:80 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:20 @ 100MHz 頻率 - 自諧振:4GHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:10MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:2-SMD 大小/尺寸:0.126" 長 x 0.098" 寬（3.20mm x 2.50mm） 高度 - 安裝（最大值）:* 標準包裝:6,000 B82422A3821K100 功能描述:820nH Unshielded Wirewound Inductor 140mA 2.5 Ohm Max 1210 (3225 Metric) 制造商:epcos (tdk) 系列:SIMID 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產 類型:繞線 材料 - 磁芯:陶瓷 電感:820nH 容差:±10% 額定電流:140mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:2.5 歐姆最大 不同頻率時的 Q 值:22 @ 30MHz 頻率 - 自諧振:240MHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1210（3225 公制） 大小/尺寸:0.126" 長 x 0.098" 寬（3.20mm x 2.50mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.083"（2.10mm） 標準包裝:1 B82422H1153J000 B82422H1153K B82422H1154J B82422H1154J000 B82422H1154K B82422H1182K B82422H1182K000 B82422H1222K B82422H1222K100 B82422H1223J B82422H1223K B82422H1223K100 B82422H1224J B82422H1224K B82422H1272K B82422H1272K000 B82422H1274J B82422H1274J000
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