參數(shù)資料
型號(hào)： AS7C1024B-12TJI
廠商： ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 5V 128K X 8 CMOS SRAM
中文描述： 128K X 8 STANDARD SRAM, 12 ns, PDSO32
封裝： 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-32
文件頁數(shù)： 3/9頁
文件大?。?/td> 111K
代理商： AS7C1024B-12TJI
AS7C1024B
3/26/04, v 1.2
Alliance Semiconductor
P. 3 of 9
Capacitance (f = 1 MHz, T
a
= 25
°
C, V
CC
= NOMINAL)
2
Parameter
Input capacitance
I/O capacitance
Symbol
C
IN
C
I/O
Signals
Test conditions
V
IN
= 0V
V
IN
= V
OUT
= 0V
Max
5
7
Unit
pF
pF
A, CE1, CE2, WE, OE
I/O
Recommended operating conditions
Parameter
Supply Voltage
V
IL
min = -1.0V for pulse width less than 5ns
V
IH
max = V
CC
+2.0V for pulse width less than 5ns.
DC operating characteristics (over the operating range)
1
Symbol
V
CC
V
IH
V
IL
T
A
T
A
Min
4.5
2.2
–0.5
0
–40
Nominal
5.0
-
–
–
–
Max
5.5
Unit
V
V
V
°
C
°
C
Input Voltage
V
CC
+ 0.5
0.8
70
85
Ambient operating
temperature
commercial
industrial
Parameter
Input leakage
current
Output leakage
current
Sym
Test conditions
-10
-12
-15
-20
Unit
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
|I
LI
|
V
CC
= Max, V
IN
= GND to V
CC
-
1
–
1
–
1
–
1
μ
A
|I
LO
|
V
CC
= Max, CE1 = V
IH
or
CE2 = V
IL
, V
OUT
= GND to V
CC
V
CC
= Max, CE1
≤
V
IL
,
CE2
≥
V
IH
, f = f
Max
,
I
OUT
= 0 mA
V
CC
= Max, CE1
≥
V
IH
and/or
CE2
≤
V
IL
, f = f
Max
V
CC
= Max, CE1
≥
V
CC
–0.2V
and/or CE2
≤
0.2V
V
IN
≤
0.2V or
V
IN
≥
V
CC
– 0.2V, f = 0
I
OL
= 8 mA, V
CC
= Min
I
OH
= –4 mA, V
CC
= Min
-
1
–
1
–
1
–
1
μ
A
Operating power
supply current
I
CC
-
110
–
100
–
90
–
80
mA
Standby power
supply current
I
SB
-
50
–
45
–
45
–
40
mA
I
SB1
-
10
–
10
–
10
–
10
Output voltage
V
OL
V
OH
-
0.4
-
–
0.4
–
–
0.4
–
–
0.4
–
V
2.4
2.4
2.4
2.4
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