參數資料
型號： AS6C4008-55TIN
廠商： ALLIANCE MEMORY INC
元件分類： SRAM
英文描述： IC,AS6C4008-55TIN,TSOP-32 LP SRAM,55NS,512K X 8,2.7-5.5V
中文描述： 512K X 8 STANDARD SRAM, 55 ns, PDSO32
封裝： 8 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, TSOP1-32
文件頁數： 9/14頁
文件大?。?/td> 1335K
代理商： AS6C4008-55TIN
CAPACITANCE (TA = 25 , f
℃
= 1.0MHz)
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
MAX
UNIT
C
e
c
n
a
ti
c
a
p
a
C
t
u
p
n
I
IN
-
6
pF
Input/Output Capacitance
CI/O
-
8
pF
Note : These parameters are guaranteed by device characterization, but not production tested.
AC TEST CONDITIONS
V
o
t
V
2
.
0
s
l
e
v
e
L
e
s
l
u
P
t
u
p
n
I
CC
- 0.2V
s
n
3
s
e
m
i
T
ll
a
F
d
n
a
e
s
i
R
t
u
p
n
I
Input and Output Timing Reference Levels
1.5V
C
d
a
o
L
t
u
p
t
u
O
L
= 30pF + 1TTL, IOH/IOL = -2mA/4mA
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(1) READ CYCLE
AS6C4008-55
-55
PARAMETER
SYM.
MIN.
MAX.
UNIT
t
e
m
i
T
e
l
c
y
C
d
a
e
R
RC
55
-
Address Access Time
tAA
-
55
Chip Enable Access Time
tACE
-
55
Output Enable Access Time
tOE
-
30
Chip Enable to Output in Low-Z
tCLZ*
10
-
Output Enable to Output in Low-Z
tOLZ*
5
-
Chip Disable to Output in High-Z
tCHZ*
-
20
ns
Output Disable to Output in High-Z
tOHZ*
-
20
Output Hold from Address Change
tOH
10
-
(2) WRITE CYCLE
AS6C4008
MIN.
MAX.
UNIT
t
e
m
i
T
e
l
c
y
C
e
ti
r
W
WC
55
-
ns
Address Valid to End of Write
tAW
50
-
Chip Enable to End of Write
tCW
50
-
Address Set-up Time
tAS
0
-
t
h
t
d
i
W
e
s
l
u
P
e
ti
r
W
WP
45
-
Write Recovery Time
tWR
0
-
Data to Write Time Overlap
tDW
25
-
Data Hold from End of Write Time
tDH
0
Output Active from End of Write
tOW*
5
-
Write to Output in High-Z
tWHZ*
-
20
*These parameters are guaranteed by device characterization, but not production tested.
PARAMETER
SYM.
2009
512K X 8 BIT LOW POWER CMOS SRAM
AS6C4008
AUG09 v1.4
Alliance Memory Inc
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相關PDF資料
PDF描述
AS6C6264-55PCN IC,AS6C6264-55PCN,DIP-28 LP SRAM,55NS,8K X 8,2.7-5.5V
AS7C1024B-12JCN IC,AS7C1024B-12JCN,SOJ-32 SRAM,12NS,128K X 8,5V
AS7C1024B-12TCN IC,AS7C1024B-12TCN,SOJ-32, SRAM,12NS,128K X 8,5V
AS7C1024B-10JCN 128K X 8 STANDARD SRAM, 10 ns, PDSO32
AS7C1024LL-70TC 128K X 8 STANDARD SRAM, 70 ns, PDSO32
相關代理商/技術參數
參數描述
AS6C4008-55TINTR 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
AS6C4008-55ZIN 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
AS6C4008-55ZINTR 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
AS6C4008A-55BIN 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
AS6C4008A-55BINTR 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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